编辑:Holly 发布:2024-09-05 11:47
据韩媒报道,三星电子MX部门在8月向DS部门表达了对即将用于Galaxy S25系列手机的1b nm(12nm级)LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子自2023年5月启动1b nm工艺16Gb DDR5内存量产,并在同年9月发布1b nm 32Gb DDR5,一直在内部推进1b nm LPDDR移动内存产品的开发。
然而,据韩媒此前在今年6月11日的报道,三星电子的1b nm DRAM内存产品良率不足五成。最新的报道指出,DS部门本应在8月之前向MX部门供应一定规模的12Gb、16Gb容量1b nm LPDDR内存样品,用于Galaxy S25系列手机开发。但DS部门未能按时提供足够数量的样品。
知情人士透露,三星电子的1b nm LPDDR良率不及预期,影响了企业内部的供货时间表。MX部门已就此提出抗议,并正在重新审视Galaxy S25系列手机的DRAM供应计划。根据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。
这一良率问题可能会对三星电子即将推出的Galaxy S25系列手机的开发进度造成影响,MX部门和DS部门需要尽快解决这一问题,以确保新手机能够如期上市。三星电子作为全球领先的内存制造商,其产品的良率问题也引起了业界的广泛关注,市场将密切关注三星电子如何解决这一挑战。
存储原厂 |
三星电子 | 55700 | KRW | 0.00% |
SK海力士 | 184400 | KRW | +3.42% |
铠侠 | 1870 | JPY | +3.14% |
美光科技 | 79.780 | USD | +3.05% |
西部数据 | 40.780 | USD | +1.52% |
闪迪 | 32.850 | USD | +1.73% |
南亚科 | 37.00 | TWD | -1.07% |
华邦电子 | 15.80 | TWD | +2.60% |
主控厂商 |
群联电子 | 454.0 | TWD | +4.25% |
慧荣科技 | 45.110 | USD | +2.38% |
联芸科技 | 40.80 | CNY | +0.62% |
点序 | 55.0 | TWD | +8.27% |
国科微 | 69.47 | CNY | +4.40% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.45 | CNY | +0.61% |
希捷科技 | 82.700 | USD | -0.41% |
宜鼎国际 | 237.0 | TWD | +1.07% |
创见资讯 | 103.0 | TWD | -1.44% |
威刚科技 | 82.6 | TWD | +2.23% |
世迈科技 | 17.230 | USD | +1.35% |
朗科科技 | 23.96 | CNY | +1.48% |
佰维存储 | 61.42 | CNY | +1.62% |
德明利 | 128.10 | CNY | +0.56% |
大为股份 | 13.81 | CNY | 0.00% |
封测厂商 |
华泰电子 | 30.95 | TWD | -0.80% |
力成 | 111.5 | TWD | -2.19% |
长电科技 | 33.00 | CNY | +0.58% |
日月光 | 137.5 | TWD | +3.77% |
通富微电 | 25.43 | CNY | +0.91% |
华天科技 | 9.84 | CNY | +0.72% |
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