编辑:Andy 发布:2024-09-02 15:46
据韩媒报道,业界人士消息称,三星电子和SK海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术,以实现移动设备上的AI,目标是在2026年左右实现商业化。
这种存储器被称为“移动HBM”,其特点是像目前服务器中使用的HBM一样堆叠DRAM。其概念是通过堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽,并具有高功效(即低功耗)的优势。它与HBM类似,通过将常规 DRAM 堆叠 8 层或 12 层来提高数据吞吐量。
HBM 是在 DRAM 中钻微孔,并用电极连接上下层。移动HBM具有相同的堆叠概念,但正在推广一种将其堆叠在楼梯中,然后用垂直电线将其连接到基板的方法。具体来说,三星电子正在开发名为“VCS”的技术,SK海力士正在开发名为“VFO”的技术。两种技术都专注于通过增加输入和输出端子来增加带宽。
据业内人士透露,“正在开发的下一代 DRAM将为移动设备提供与HBM(高带宽存储器)类似的功能。随着AI加速器的普及,HBM市场迅速增长,我们正寻求将其扩展应用到智能手机、平板电脑和笔记本电脑等领域。”
尽管尚未确定如何将负责AI运算的处理器与系统其他部分连接,但目前正在讨论几种可能的方案。其中一种方案是像HBM(高带宽存储器)那样,将AI处理器放置在图形处理单元(GPU)旁边。另一种方案是在AI芯片上堆叠存储器。
业界对移动HBM(高带宽存储器)的兴趣日益增加,这是因为智能手机现在正发展成为新的AI设备。移动HBM很可能会被定制化供应给智能手机制造商或智能手机用AP开发商。这意味着,与过去大规模生产特定规格产品的供应商中心模式不同,现在正转向以需求者为中心的模式。这与此前SK海力士为苹果头戴设备“Vision Pro”供应定制化低功耗DRAM的情况类似。
据CFM闪存市场数据,预计HBM Bit供应今年达110亿Gb,约占DRAM Bit比重为4.8%;全年市场规模达150亿美元,约占DRAM市场的20%。随着移动HBM的技术发展,预计未来HBM的市场规模将进一步扩大,移动DRAM供需市场格局也将发生巨变。
存储原厂 |
三星电子 | 57600 | KRW | -2.04% |
SK海力士 | 194600 | KRW | -1.67% |
铠侠 | 2065 | JPY | -10.84% |
美光科技 | 76.765 | USD | -13.36% |
西部数据 | 35.785 | USD | -14.35% |
闪迪 | 39.060 | USD | -18.06% |
南亚科 | 41.10 | TWD | +7.31% |
华邦电子 | 18.70 | TWD | +3.31% |
主控厂商 |
群联电子 | 556 | TWD | +4.51% |
慧荣科技 | 46.964 | USD | -9.00% |
联芸科技 | 46.02 | CNY | -1.54% |
点序 | 62.6 | TWD | +0.81% |
国科微 | 67.66 | CNY | -1.71% |
品牌/模组 |
江波龙 | 90.60 | CNY | -2.40% |
希捷科技 | 74.580 | USD | -12.79% |
宜鼎国际 | 260.0 | TWD | +0.97% |
创见资讯 | 104.0 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 90.7 | TWD | +2.37% |
世迈科技 | 15.730 | USD | -12.85% |
朗科科技 | 27.56 | CNY | +1.25% |
佰维存储 | 67.29 | CNY | -3.44% |
德明利 | 126.66 | CNY | -2.11% |
大为股份 | 14.61 | CNY | -1.55% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.55 | TWD | +8.05% |
力成 | 127.5 | TWD | +1.19% |
长电科技 | 34.37 | CNY | -2.44% |
日月光 | 149.0 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 26.54 | CNY | -1.26% |
华天科技 | 10.44 | CNY | -1.42% |
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