编辑:AVA 发布:2024-06-12 11:05
据韩媒报道,SK海力士声称,其HBM 采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造,比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固 60%。
报道称,SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试,结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明,HBM 可以承受外部物理冲击,而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。
业界认为,这份报告是 SK 海力士强调其优于三星电子和美光科技等竞争对手的 HBM 制造技术的方式。SK 海力士是英伟达等主要 AI 半导体公司的 HBM 领先供应商,并与台积电一起处于先进半导体封装领域的前沿,该公司预计这些结果将吸引其主要客户。
SK海力士还展示了其下一代封装技术“垂直扇出(VFO)”的开发状态。该技术涉及在没有半导体基板的情况下将四个LPDDR存储器垂直堆叠在计算单元顶部,称为扇出晶圆级封装(FOWLP)。
存储原厂 |
三星电子 | 58300 | KRW | -1.52% |
SK海力士 | 182200 | KRW | -2.20% |
美光科技 | 99.730 | USD | +0.08% |
英特尔 | 23.200 | USD | +7.81% |
西部数据 | 65.880 | USD | +0.87% |
南亚科 | 41.45 | TWD | -2.01% |
华邦电子 | 19.35 | TWD | +0.52% |
主控厂商 |
群联电子 | 474.0 | TWD | +0.53% |
慧荣科技 | 52.780 | USD | -1.91% |
美满科技 | 84.770 | USD | +5.82% |
点序 | 58.0 | TWD | +1.58% |
国科微 | 66.30 | CNY | -6.92% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.48 | CNY | -5.21% |
希捷科技 | 99.110 | USD | -1.26% |
宜鼎国际 | 259.0 | TWD | +0.19% |
创见资讯 | 97.6 | TWD | +1.24% |
威刚科技 | 86.1 | TWD | +0.47% |
世迈科技 | 15.970 | USD | +6.11% |
朗科科技 | 21.25 | CNY | -9.19% |
佰维存储 | 59.40 | CNY | -5.01% |
德明利 | 79.50 | CNY | -4.38% |
大为股份 | 11.69 | CNY | -3.71% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.90 | TWD | +2.31% |
力成 | 126.5 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 38.59 | CNY | -3.33% |
日月光 | 154.0 | TWD | -1.91% |
通富微电 | 29.72 | CNY | +9.99% |
华天科技 | 12.36 | CNY | -9.98% |
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