编辑:AVA 发布:2024-06-12 11:05
据韩媒报道,SK海力士声称,其HBM 采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造,比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固 60%。
报道称,SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试,结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明,HBM 可以承受外部物理冲击,而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。
业界认为,这份报告是 SK 海力士强调其优于三星电子和美光科技等竞争对手的 HBM 制造技术的方式。SK 海力士是英伟达等主要 AI 半导体公司的 HBM 领先供应商,并与台积电一起处于先进半导体封装领域的前沿,该公司预计这些结果将吸引其主要客户。
SK海力士还展示了其下一代封装技术“垂直扇出(VFO)”的开发状态。该技术涉及在没有半导体基板的情况下将四个LPDDR存储器垂直堆叠在计算单元顶部,称为扇出晶圆级封装(FOWLP)。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
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