编辑:AVA 发布:2023-08-29 17:12
据韩媒报道,三星电子在今年的Hot Chips 2023上公布了高带宽存储器(HBM)-内存处理(PIM)和低功耗双倍数据速率(LPDDR)-PIM研究成果。这两款存储器是未来可用于人工智能(AI)行业的下一代存储器。
三星电子展示了一项研究成果,将HBM-PIM应用于生成式AI,与现有HBM相比,加速器性能和功效提高了一倍以上。本研究中使用的GPU是AMD的MI-100。
为了验证MoE模型,还构建了 HBM-PIM 集群。集群中使用了 96 台配备 HBM-PIM 的 MI-100。在MoE模型中,HBM-PIM还表明加速器性能比HBM高两倍,功率效率比HBM高三倍。
HBM-PIM是将PIM与HBM结合在一起的半导体。它是一个概念,通过处理一些以前由CPU在内存中处理的操作来减少数据移动量。近年来,随着内存瓶颈成为AI半导体领域的一大挑战,HBM-PIM作为下一代内存半导体备受瞩目。
除了HBM-PIM,三星电子还展示了LPDDR-PIM。LPDDR-PIM 是一种将 PIM 与移动 DRAM 相结合的形式,可直接在边缘设备内处理计算。由于它是针对边缘设备开发的产品,因此带宽(102.4GB/s)也较低。三星电子强调,与DRAM相比,功耗可降低72%。
业内人士表示,与AI加速器性能的提升相比,存储器的发展速度缓慢。在大规模语言模型(LLM)中,数据重用率很高,并且可以减少数据移动(通过 HBM-PIM 中的计算)。
然而,HBM-PIM和LPDDR-PIM的商业化还需要相当长的时间。PIM在通过存储器工艺实现非存储器半导体的特性方面存在技术困难。此外,与现有的HBM相比,还有一个缺点是价格昂贵。
存储原厂 |
三星电子 | 74300 | KRW | +0.41% |
SK海力士 | 173700 | KRW | +2.36% |
美光科技 | 96.240 | USD | +0.70% |
英特尔 | 22.040 | USD | +9.49% |
西部数据 | 65.590 | USD | +4.06% |
南亚科 | 52.7 | TWD | -1.31% |
华邦电子 | 24.05 | TWD | +2.12% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -1.48% |
慧荣科技 | 63.570 | USD | +1.00% |
美满科技 | 76.240 | USD | +9.16% |
点序 | 62.5 | TWD | +1.13% |
国科微 | 46.71 | CNY | +2.73% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.40 | CNY | +3.79% |
希捷科技 | 99.550 | USD | +2.06% |
宜鼎国际 | 293.5 | TWD | +0.86% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0% |
威刚科技 | 94.6 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 20.720 | USD | +1.12% |
朗科科技 | 17.26 | CNY | +4.92% |
佰维存储 | 45.20 | CNY | +4.17% |
德明利 | 75.35 | CNY | +4.38% |
大为股份 | 9.35 | CNY | +3.66% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.95 | TWD | +1.08% |
力成 | 145.5 | TWD | +0.34% |
长电科技 | 32.65 | CNY | +5.60% |
日月光 | 153.5 | TWD | +0.99% |
通富微电 | 19.90 | CNY | +3.06% |
华天科技 | 7.97 | CNY | +2.44% |
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