编辑:AVA 发布:2023-08-22 10:39
据韩媒报道,业内人士21日透露,三星电子最近正在将日本东京电子(TEL)的最新设备引入其位于平泽园区的第三工厂(P3)的NAND生产线。三星电子正在加紧努力,增强下一代NAND闪存的竞争力。为了明年彻底改变NAND核心设备供应链,各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。
三星电子此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。蚀刻设备根据要去除的材料分为几种类型。其中,TEL最新的刻蚀设备对应的是氧化物刻蚀设备。目前,三星电子已将TEL的新型刻蚀设备引入P3 NAND生产线,并正在进行量产测试。
如果三星电子使用该设备进行量产,最有可能应用该设备的是P4工厂。P4是三星电子的下一代半导体制造工厂,最早将于2024年投入运营。与P3一样,它将被创建为一个综合性的晶圆厂,同时大规模生产存储半导体和代工厂。
以P4 NAND生产线为例,据悉它将主要生产V9和V10,这两个产品被认为是下一代NAND闪存。目前,三星电子的旗舰NAND产品是V7和V8产品。其中,V8是三星电子最新推出的NAND闪存,于去年第四季度开始量产。韩媒称,V8的层数估计为236层,V9估计为280层。
三星电子现有的大部分NAND线刻蚀设备都是从美国Lam Research采购的。
优先考虑可靠性和良率稳定性的半导体行业,在核心供应链的变化上必然会保守。尽管如此,业界认为,三星电子更换蚀刻设备供应商的原因可能是多种原因共同作用的。
首先是TEL新设备的优势。与使用单一能源进行蚀刻的现有设备不同,TEL的新设备使用两种能源的组合来提高蚀刻速度和精度。
还有观点认为,Lam Research的设备在下一代NAND的开发中并没有取得令人满意的表现。一位业内人士解释说,“三星电子在开发先进NAND闪存的过程中遇到了良率问题,我们认为Lam Research的设备也是原因之一。”
据了解,三星电子正在非常积极地对TEL的最新设备进行测试。另一位业内人士表示,“P3工厂正在积极备货TEL最新的设备和配套的辅助设施。”
存储原厂 |
三星电子 | 74300 | KRW | +0.41% |
SK海力士 | 173700 | KRW | +2.36% |
美光科技 | 96.240 | USD | +0.70% |
英特尔 | 22.040 | USD | +9.49% |
西部数据 | 65.590 | USD | +4.06% |
南亚科 | 52.7 | TWD | -1.31% |
华邦电子 | 24.05 | TWD | +2.12% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -1.48% |
慧荣科技 | 63.570 | USD | +1.00% |
美满科技 | 76.240 | USD | +9.16% |
点序 | 62.5 | TWD | +1.13% |
国科微 | 46.71 | CNY | +2.73% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.40 | CNY | +3.79% |
希捷科技 | 99.550 | USD | +2.06% |
宜鼎国际 | 293.5 | TWD | +0.86% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0% |
威刚科技 | 94.6 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 20.720 | USD | +1.12% |
朗科科技 | 17.26 | CNY | +4.92% |
佰维存储 | 45.20 | CNY | +4.17% |
德明利 | 75.35 | CNY | +4.38% |
大为股份 | 9.35 | CNY | +3.66% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.95 | TWD | +1.08% |
力成 | 145.5 | TWD | +0.34% |
长电科技 | 32.65 | CNY | +5.60% |
日月光 | 153.5 | TWD | +0.99% |
通富微电 | 19.90 | CNY | +3.06% |
华天科技 | 7.97 | CNY | +2.44% |
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