编辑:Olivia 发布:2023-07-19 11:09
据韩媒报道,SK海力士在近期的投资者活动日中强调到,他们的HBM拥有比三星和美光更好的技术优势,他们已开发出不同于竞争对手的封装技术(MR-MUF)并以长期独家的方式从合作伙伴那里获得关键材料。SK海力士认为,MR-MUF封装技术将有效保持其计划于明年发布的第五代HBM3E的市场竞争力,超越目前已量产的第四代产品HBM3。
MR-MUF封装是当芯片附着到电路上并向上堆叠时,用一种称为EMC的材料填充芯片之间的空间的工艺。此前使用的是NCF非导电膜技术,NCF是一种在芯片之间使用一种薄膜来堆叠芯片的方法。
MR-MUF封装对HBM芯片的外部结构有重大影响。SK海力士在堆叠12层HBM3时,使用MR-MUF封装可以将堆叠的DRAM数量从8个(16GB)增加到12个,从而令整体容量增加了约50%。因此,SK海力士也推出了目前最高容量的24GB HBM。
为了在保持芯片厚度的同时增加容量(堆叠数量),DRAM芯片必须减薄40%,并一层一层向上堆叠,然而这会导致较薄的芯片容易弯曲。据了解,MR-MUF封装对于防止这种情况并保持芯片的厚度是十分必要的。
HBM相关市场预计每年增长40%以上,SK海力士、三星和美光之间的竞争将会非常激烈。
存储原厂 |
三星电子 | 74300 | KRW | +0.41% |
SK海力士 | 173700 | KRW | +2.36% |
美光科技 | 96.240 | USD | +0.70% |
英特尔 | 22.040 | USD | +9.49% |
西部数据 | 65.590 | USD | +4.06% |
南亚科 | 52.7 | TWD | -1.31% |
华邦电子 | 24.05 | TWD | +2.12% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -1.48% |
慧荣科技 | 63.570 | USD | +1.00% |
美满科技 | 76.240 | USD | +9.16% |
点序 | 62.5 | TWD | +1.13% |
国科微 | 46.71 | CNY | +2.73% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.40 | CNY | +3.79% |
希捷科技 | 99.550 | USD | +2.06% |
宜鼎国际 | 293.5 | TWD | +0.86% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0% |
威刚科技 | 94.6 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 20.720 | USD | +1.12% |
朗科科技 | 17.26 | CNY | +4.92% |
佰维存储 | 45.20 | CNY | +4.17% |
德明利 | 75.35 | CNY | +4.38% |
大为股份 | 9.35 | CNY | +3.66% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.95 | TWD | +1.08% |
力成 | 145.5 | TWD | +0.34% |
长电科技 | 32.65 | CNY | +5.60% |
日月光 | 153.5 | TWD | +0.99% |
通富微电 | 19.90 | CNY | +3.06% |
华天科技 | 7.97 | CNY | +2.44% |
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