英飞凌推出业界首款 1Mbit 汽车级串行FRAM

不断发展的汽车事件数据记录器 (EDR) 市场正在推动对专用数据记录存储设备的需求，这些设备可以即时捕获并可靠地存储关键数据数十年。英飞凌近日推出两款新型铁电 RAM (FRAM) 存储器件，密度分别为 1Mbit 和 4Mbit，扩大EXCELON™ F-RAM产品系列。其中1Mbit 器件是业界首款符合汽车标准的串行 F-RAM。

这些新器件符合 AEC-Q100 1 级标准，支持扩展的温度范围（-40°C 至 +125°C），补充了密度从 4Kbit 到 16Mbit 的汽车 F-RAM 产品组合。这些器件具有快速且高度可靠的读/写性能，在 SPI 模式下速度高达 50 MHz，在 Quad SPI (QSPI) 模式下速度高达 108 MHz，并具有10万亿次读/写周期的续航能力，可支持以10微秒间隔进行20多年的数据记录。

这两款新器件均采用串行 (SPI/QSPI) 接口，具有 F-RAM 的超低功耗特性，工作电压范围为 1.8V 至 3.6V，并采用标准 8 引脚 SOIC 封装。除了卓越的耐用性外，英飞凌的 F-RAM 还可在断电后保留数据 100 多年。

以上两款新旗舰现已投入量产，英飞凌还预计在今年年底前发布这两款器件的 Quad SPI 接口版本。

铁电存储器（FRAM）利用铁电晶体材料电压与电流关系具有滞后回路的特点来实现信息存储。FRAM将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入性能，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。

由于铁电存储器不像动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。但由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，有望在小型消费类设备中得到广泛地应用，比如手机、功率表、智能卡以及安全系统。

FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。