TEL研发400层以上3D NAND蚀刻技术

据日媒报道，TEL在2023年6月的半导体国际会议报告中，展示一项新的蚀刻技术，可以在400层以上的3D NAND堆叠结构形成存储通道孔洞（memory channel holes）。

据TEL介绍，原本无法在极低温环境下实际运作的绝缘膜蚀刻，现在开发出新的制程，并制作出相应的设备，可在短短的33分钟内形成高长宽比的10微米的蚀刻深度，且比以前减少84%的全球暖化潜能值（Global warming potential）。

蚀刻设备是TEL的主力产品之一。据日本经产省资料，2021年TEL的蚀刻设备市占第二，涂布显影机市占位居第一，单晶圆制程清洗设备市占第三，热处理设备市占第二。