三星砸1万亿韩元扩建，拟将HBM产能翻倍

据韩媒报道，三星电子将投资1万亿韩元扩大下一代存储器半导体高带宽存储器（HBM）的产能。此举是为了应对AMD、Nvidia等快速增长的需求，并与占领市场的SK海力​​士展开了真正的竞争。

据业内人士6日透露，三星电子决定在明年底前将HBM产能提高一倍，并已下单采购主要设备。

三星计划通过在天安工厂安装设备来增加HBM出货量。天安工厂负责封装等半导体后端工艺。由于HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理速度的产品，因此只有增加后处理设施才能扩大出货量。据了解，扩建的总投资额为1万亿韩元。

据称，三星电子已收到 AMD 和 Nvidia 的订单，以增加 HBM 供应。随着以ChatGPT为代表的人工智能（AI）服务的普及，对HBM以及高性能中央处理器（CPU）和图形处理单元（GPU）的需求不断增加。

三星计划量产目前正在供应的HBM2和HBM2E等下一代产品，以及计划于下半年量产8层堆叠HBM3和最近完成的12层HBM3E。

与竞争对手相比，三星电子因对 HBM 的反应缓慢而受到内部和外部的批评。在一些市场研究统计中，其市场份额低于SK海力士。三星电子本月进行了人事变动，更换了负责监督内存半导体技术开发的DRAM开发办公室负责人。

由于SK海力士也在推动HBM扩张，预计明年三星与SK海力士的竞争将会加剧。SK海力士还正在推进一项计划，斥资约1万亿韩元扩大利川工厂的HBM产能。1万亿韩元是最低投资，业内也有观察称三星和海力士明年都将扩大投资。

半导体行业相关人士表示：“随着谷歌、苹果、微软等大型科技公司宣布拓展AI服务，对低功耗、高规格存储半导体HBM的需求将迅猛增长，为了满足未来的需求，三星电子、SK海力士都必须将产能比现在增加10倍以上。”