编辑：AVA 发布：2023-06-30 11:12
据韩媒报道，三星电子预测，V-NAND堆叠竞争将持续到1000层或更多。1000层NAND将于2030年出现。V-NAND 最初仅24 层，在过去10年里已经发展到超过 200 层。
V-NAND是三星电子于 2013 年首次实现商业化的三维 (3D) NAND 闪存半导体。虽然东芝首次开发了NAND，但据评价三星电子生产的V-NAND成为普及的催化剂。目前生产的大多数NAND闪存都遵循V-NAND结构。
为了构建1000层以上的NAND，还有很多功课要做，比如实现稳定性，即使像建筑物一样层数增加时也不会倒塌、弯曲或断裂。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 53700 | KRW | 0.00% |
| SK海力士 | 221000 | KRW | +0.68% |
| 铠侠 | 1738 | JPY | -4.24% |
| 美光科技 | 103.190 | USD | -1.57% |
| 西部数据 | 67.410 | USD | -1.85% |
| 南亚科 | 30.10 | TWD | +0.33% |
| 华邦电子 | 14.35 | TWD | +1.41% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 473.0 | TWD | +0.32% |
| 慧荣科技 | 52.810 | USD | -2.13% |
| 联芸科技 | 42.25 | CNY | -2.58% |
| 点序 | 48.60 | TWD | +6.93% |
| 国科微 | 64.12 | CNY | -2.48% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 83.10 | CNY | -2.61% |
| 希捷科技 | 108.190 | USD | -0.21% |
| 宜鼎国际 | 204.5 | TWD | -2.85% |
| 创见资讯 | 87.3 | TWD | +1.28% |
| 威刚科技 | 77.0 | TWD | +0.26% |
| 世迈科技 | 20.620 | USD | -1.43% |
| 朗科科技 | 17.67 | CNY | -3.02% |
| 佰维存储 | 61.06 | CNY | -3.20% |
| 德明利 | 104.48 | CNY | +2.24% |
| 大为股份 | 13.72 | CNY | -5.51% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 33.50 | TWD | +0.90% |
| 力成 | 117.0 | TWD | +0.43% |
| 长电科技 | 39.05 | CNY | -3.89% |
| 日月光 | 177.0 | TWD | +2.91% |
| 通富微电 | 28.34 | CNY | -1.84% |
| 华天科技 | 11.35 | CNY | -1.99% |
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