台积电EUV光刻专利数量远超三星电子

据TechInsights最新报告显示，在包括EUV在内的下一代光刻技术方面，台积电拥有的专利数量远超三星电子。

与现有曝光工艺中使用的 KrF（氟化氪）和 ArF（氟化氩）光源相比，EUV 的波长缩短了约 1/14。通过这种方式，可以有效地实现更精细的电路，并且它的引入正在逐渐扩展到先进的存储器和系统半导体制造工艺中。涉及的主要公司包括全球唯一的EUV光刻设备制造商ASML，作为ASML主要合作伙伴的光学公司Carl Zeiss，以及通过EUV工艺制造半导体的台积电和三星电子。

目前，这四家公司的EUV光刻专利数量为1114件。其中，Carl Zeiss（353例）和ASML（345例）占据了相当大的比例。台积电在晶圆代工界排名第一，也拥有279项专利。三星电子则拥有137项专利，是其主要竞争对手台积电的一半。

尽管 EUV 正朝着全面商业化的方向发展，并受到半导体行业的广泛关注，但对 NIL（纳米压印）和 DSA（引导自组装）等替代技术的研究和开发也很活跃。这是因为EUV曝光设备的价格非常昂贵，每台超过2000亿韩元，而且供应链也很有限。

在 NIL 中，将光刻胶 (PR) 涂在晶圆上，然后压上印有特定图案的印模以形成电路。因为它不使用镜头，所以可以以比现有曝光工艺更低的成本实现精细工艺。DSA是一种使用化学材料形成图案的方法，与现有的曝光工艺相比，这也有利于降低成本。但是NIL和DSA由于不满足缺陷控制等可靠性要求，目前还处于研发阶段。

佳能拥有的NIL光刻技术专利数量为913件，无人能敌。台积电和三星电子分别拥有145项和70项专利。但在DSA光刻专利方面，三星电子拥有68项专利，领先于台积电的24项专利。

与此同时，北美的主要半导体公司，如英特尔、IBM、Global Foundry，专利持有量均在前10名之外。以中国为例，中科院积极投入EUV相关技术开发，显示EUV/NIL/DSA专利数量直到最近一直在持续增加。