光刻胶镀膜工艺将改变？传Lam Research开发新型沉积法镀光刻胶

据韩媒报道，美国半导体设备制造商Lam Research已开发出一种通过化学反应制造极紫外光(EUV)刻胶薄膜的技术，有望打破目前旋涂的镀膜方式。

在传统工艺中，液体光刻胶在旋转的晶圆片上，形成厚度均匀膜层。目前该工艺的设备主要由日本东京电子掌握。但是该工艺的缺点是由于EUV光线能量过高，在反应过程中会释放意想不到的物质。

据悉，Lam Research研发的新型技术采用了沉积镀膜的方式，通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）制成的，这会引起腔室内的化学反应以诱导薄膜形成。

Lam Research表示，该方法可减少辐射剂量并产生高分辨率薄膜，该薄膜可以更精确地捕获EUV所需的半导体电路。

与现有方法相比，能够大大降低成本也是一大优势。由于晶片旋转时会弹回PR，因此浪费了常规的EUV PR旋涂方法。但是由于Lam Research的化学反应会产生膜，因此消耗量可以从五分之一减少到十分之一。