DRAM面临突破10nm工艺的挑战，三大原厂EUV设备导入最新进展！

2019年DRAM原厂技术已进入1Znm，且各家又扩展了三代DRAM，被称为1anm、1bnm和1cnm，其中1anm DRAM或将于2021年推出。

那么，1Znm之后的DRAM技术是否导入EUV工艺成为企业的重点考虑问题，也将是拉开技术差距的重要节点。

在EUV技术中，采用的光波长仅为13.5nm，比ArF（193 nm）短14倍，因此能够将图案分辨率降低到10nm以下，所以DRAM三大原厂三星、美光和SK海力士正在讨论EUV导入制程中的时间点。

其中三星在2019年3月开发出第三代10nm级（1Znm）工艺DRAM，传已在制造中整合了EUV极紫外光刻技术。SK海力士正在新工厂内建置EUV设备，下半年可完工，并评估导入EUV量产1anm级DRAM的时间。

美光科技在2019年不仅已开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品，1Znm DDR5产品也已经送样。根据美光DRAM技术规划，下一代微细化工艺技术被命名为1α,1β和1γnm。据韩国媒体称，美光推迟了EUV的导入，可能推迟至1γnm技术之后，时间表暂不确定。

美光DRAM产品工程高级总监Debra Bell曾表示，未来几年来我们的发展很清晰，也还有其他想法，正在讨论并对此进行评估。

在NAND Flash领域，10nm是2D技术量产的极限，尚未突破10nm各家原厂就纷纷转向了3D架构，目前三星、SK海力士已公开宣布量产128层3D NAND；在逻辑芯片制造领域，以台积电和三星为代表，已经引入EUV技术，其中台积电5nm将在2020上半年量产，且正在研发3nm技术及更先进的技术。

在DRAM领域，全球三大DRAM原厂要突破10nm物理极限，必须导入EUV工艺，全球最大芯片光刻设备厂商ASML表示，逻辑芯片已导入EUV设备，下一波将是DRAM客户积极准备EUV导入量产阶段，推动EUV需求不断增加。

目前DRAM现状是，随着5G网络快速发展，从2019下半年开始，数据中心、企业级领域配置的存储需求逐渐转强，再加上部分原厂在2019上半年减产的缘故，导致DRAM价格在年底涨价，且涨势延续到2020年初。

就目前DRAM原厂的规划，由于手机内嵌LPDDR容量升级较NAND Flash没那么快，所以原厂均将新工厂扩产的主力集中在NAND Flash上，DRAM扩产动作并不明显，所以DRAM主要是依赖技术升级来提高产量。目前DRAM市场排名依次是三星、SK海力士、美光，若三星和SK海力士充分利用EUV工艺量产，对美光而言将不利，差距恐进一步扩大。