英特尔3D NAND：下一代产品将在2017下半年面世

7月12日Intel & Richmax再次在深圳举办了3D NAND Technical Workshop，介绍了Intel相关3D NAND的近况。

英特尔第一代3D NAND，采用32层堆叠，是50nm到34nm之间的工艺，分为TLC与MLC两个系列，代号分别是L06B和B0KB，其中L06B是MLC产品的代号，容量为256Gb（32GB）采用ONFI 4.0标准，闪存寿命是5000 P/E。

B0KB容量为384Gb（48GB），由于是TLC架构，所以采用了ECC纠错能力较高的LDPC提高NAND Flash的耐用性，可将TLC闪存寿命提高到1500 P/E。

会议上简单的提到了英特尔下一代3D NAND，堆叠层数会多于现在的32层，保守点估计是48层，也可能是64层，将在2017年下半年推出样品，预计到2018年才会量产。

2016年除了三星将3D NAND广泛用于950 Pro、650、850等系列SSD中，消费类市场主要还是TLC SSD当道，但随着东芝/SanDisk、美光、SK海力士等加快投入3D NAND生产，3D SSD已掀起了一场新的战局。

日前，三星采用先进的48层3D NAND推出容量高达4TB的SSD，SK海力士早在2016年初也展示了一款采用36层3D NAND的企业级SSD，美光则基于Marvell 88SS1074控制芯片推出了适用于零售市场的MX300和面向PC OEM市场的1100系列3D SSD，以及面向数据中心存储的2100系列3D SSD。

英特尔也推出了首款数据中心存储应用的DC P3320系列3D SSD，并将在年底前面向消费类市场推出基于PCIe接口的3D SSD，以Flash原厂推出的3D SSD观察，基于3D NAND更大容量的优势，将优先企业级和数据中心存储应用，稍后再普及到消费类市场。