编辑:Helan 发布:2009-10-23 16:26
MLC(Multi-Level-Cell)技术,由英特尔于1997年率先推出,能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案,可大幅节省制造商端的成本,但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC(Single-Lecel_Cell)内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点,MLC颗粒制成的产品只有10X(1.5Mbyte/sec)的写入速度,SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X(3.2Mbyte/sec)的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功,能够让单个存储单元保存两倍的数据量;
SLC 与 MLC 的参数对比:
Item SLC MLC
电压 3.3V/1.8V 3.3V
生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大) 25us 70us
页编程时间(典型) 250us 1.2ms
可否局部编程 Yes No
擦写次数 100K 10K
数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2