快闪存储器属于被称为不易失存储器的半导体存储器。所有的半导体存储器都可以归为两种不同的基本类型：仅在被连接到电池或其他电源时才能保存数据的存储器（易失存储器），以及即使在没有电源的情况下仍然能够保存数据的存储器（不易失存储器）。
DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）尽管有容易丢失数据的缺点，但从市场规模来说，它们却是最重要的存储器类型。由于它们的快速写入能力，使它们被作为“工作”存储器来使用。对于DRAM 来说，其优点在于它能够在极小尺寸的存储单元中存储极大容量的数据。现在，256M比特的DRAM已经在商业上应用，而1G比特的设备将很快出现。对于SRAM来说，其优点在于极低的制造费用（不需要刷新电路），以及某些类型存储器的数据读取速度，其特点是比DRAM快一个量级。DRAM和SRAM都是个人计算机的基本部件。
快闪存储器基本单元架构
尽管所有的快闪存储器都使用相同的基本存储单元，有许多不同的途径将单元在总体存储阵列中互连。其中最重要的两种架构被称为NOR（或非）和NAND（与非），这些从传统的组合逻辑中得到的术语指出了阵列的拓扑结构和其中的单独单元读取和写入的方式。
最初，这两种架构间有明显的区别，NOR设备表现出固有的快速读取时间（使其成为代码存储的最佳选择），而NAND设备提供更高的存储密度（这是由于NAND单元大约比NOR单元小40％）。不过，多比特/单元技术的出现使得这一平衡明显地倾向于NOR架构。这是由于在NOR架构中，电荷读出放大器对每个单元直接进行存取，而在NAND架构中，读出放大器的信号必须通过一定数量的其它单元，其中的每一个都能带来一定的小误差。这意味着NAND体系不太可能扩展到超过2比特/单元，而对NOR架构来说，确信可以得到4比特/单元。这一点不仅补偿了NAND单元的较大尺寸，而且使得NOR成为所有当前和将来的快闪存储器应用的适当选择。
