编辑: 发布:2009-02-20 14:02
许多人都分不清NOR和NAND闪存,其实我们只要把它们进行简单的对比就可以很好区分开来。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。但是从特性上来说,他们是有区别的。
1.NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行。
2.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度快。
3.NOR Flash的读速度比NAND稍快一些。
4.NAND Flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5.NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
6.NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等,它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。
7.NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。缺点是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
8.NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
9.NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
10.NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。
11.NAND Flash的写入速度比NOR快很多。
存储原厂 |
三星电子 | 56000 | KRW | -0.71% |
SK海力士 | 176700 | KRW | +4.68% |
美光科技 | 102.760 | USD | +4.46% |
英特尔 | 24.440 | USD | +1.79% |
西部数据 | 65.880 | USD | +3.20% |
南亚科 | 35.85 | TWD | -2.18% |
华邦电子 | 18.05 | TWD | +1.40% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.0 | TWD | +1.51% |
慧荣科技 | 54.800 | USD | +3.26% |
美满科技 | 92.940 | USD | +3.43% |
点序 | 54.1 | TWD | +0.93% |
国科微 | 64.25 | CNY | -5.50% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.00 | CNY | -5.16% |
希捷科技 | 99.920 | USD | +1.94% |
宜鼎国际 | 235.0 | TWD | +1.95% |
创见资讯 | 92.2 | TWD | +0.44% |
威刚科技 | 90.9 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 17.410 | USD | +2.71% |
朗科科技 | 21.71 | CNY | -1.00% |
佰维存储 | 56.40 | CNY | -5.21% |
德明利 | 76.53 | CNY | -5.17% |
大为股份 | 11.18 | CNY | -6.83% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.55 | TWD | 0.00% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.81% |
长电科技 | 38.92 | CNY | -5.19% |
日月光 | 156.5 | TWD | +1.95% |
通富微电 | 29.66 | CNY | -6.99% |
华天科技 | 11.76 | CNY | -4.62% |
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