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Samsung 840 EVO系列

Samsung 840 EVO系列

种类:固态硬盘   品牌:三星
应用领域: 超极本台式机笔记本

产品白皮书 文件下载 来源:企业官方网站
Samsung 840 EVO系列 共9个产品
型号容量速度(读)速度(写)接口类型厚度其他
MZ-7TE120KW120GB最大540MB/秒最大410MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE120KW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE250KW250GB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE250KW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE250LW250GB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE250LW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE500LW500GB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE500LW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE120BW120GB最大540MB/秒最大410MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE120BW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE250BW250GB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE250BW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE500BW500GB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE500BW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE750BW750GB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE750BW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C
MZ-7TE1T0BW1TB最大540MB/秒最大520MB/秒SATA III6.8mm查看
MZ-7TE1T0BW其他参数关闭
NAND Flash:1xnm SamsungToggle DDR 2.0 NAND Flash
主控芯片:三星3核MEX控制器
尺寸:2.5''
工作温度:0°C - 70°C
存储温度:-55°C - 95°C

系列概览

三星840 EVO SSD 低功耗、大容量

三星840 EVO拥有各种容量,包含标准120GB、少见的大容量750GB及超大容量1TB,不仅能为您提供理想的SSD来升级电脑,而且还满足您的海量存储需求。840 EVO的待机功耗更低,它更节能,电池续航能力更强,能帮助旅途中的您更轻松、灵活地完成工作。

优质组件打造的一体化解决方案

三星SSD采用了公司内部生产的优质NAND闪存芯片,因为只有品质好、性能优、寿命长的芯片才能满足SSD苛刻的存储应用需求。三星SSD的所有组件(包括控制器、DRAM在内)都采用三星公司自己的产品,这进一步保障了SSD的品质。此外,三星SSD还使用先进的新固件来有效优化组件间的协同性,以确保三星提供优化的解决方案,让您的电脑获得卓越的性能和稳定性。

高速不间断

  与之前的840型号相比,840 EVO采用TurboWrite技术,拥有更快的持续写入速度,120GB硬盘的写入速度从130MB/s提升三倍至410MB/s250GB硬盘的写入速度翻了一倍,从250MB/s提升至520MB/s。创新的写入加速算法和性能卓越的写入缓冲器,可全面提升电脑速度和您的满意度。

坚固加密 保障数据安全

  当您在旅途中使用笔记本电脑时,可能存在暴露个人信息的危险。无需担心,840 EVO的自动加密驱动(SED)安全技术可时刻保障您的数据安全。它包含一个256AES硬件加密引擎,即使遗失笔记本电脑,也能确保个人文件的信息安全。由于 该加密引擎基于硬件,在保护信息安全的同时,不会造成性能退化,比软件加密 更能满足您的需求。

企业介绍

三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。