SKHynix
据韩国朝鲜商业日报(Chosun Biz)报导指出，SK海力士常务李炳基(音译)于「半导体、面板发展研讨会」上表示，由于设备、材料业者间缺乏积极合作，恐难突破DRAM、NAND Flash的技术限制。
传SK海力士(SK Hynix)4月将开始生产18nm制程DRAM试制品，可望成为继三星电子(Samsung Electronics)后，第二家投产10nm级DRAM的半导体业者。
Businesskorea.com引述知情人士的消息报导指出，海力士刚在旗下M8晶圆厂成立项目小组，目前正针对制程优化、产能改善与降低成本等项目做可行性评估。
2月6日晚，省委常委、市委书记李小敏，市长汪泉，在南京会见了SK集团副会长、SK海力士（株）代表理事CEO朴星昱一行，双方就SK海力士下阶段战略发展、拓展合作领域进行了深入会谈。
近日，SK海力士宣布推出了首款8GB的高密度LPDDR4X芯片，是一款双通道，采用16Gb单颗Die多芯片封装。
日前，SK海力士才宣布将投资2.2兆韩元新建存储器工厂，另有知情人透露，SK海力士正在积极推进72层3D NAND技术的发展，预计将在2017年Q1推出72层3D NAND样品，Q2开始小批量生产。
SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
据韩媒ETnews报道，SK Hynix将在2017年开始大规模量产10nm级DRAM，成为继三星之后第二家迈入10nm DRAM制程的原厂。SK Hynix在内部结束1xnm DRAM开发工作的同时即开始了1ynm DRAM的研发工作，并且同步建立了1z
据韩国经济报导，SK海力士以21nm制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%；10nm级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半
据韩媒ET News报导，SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案，已进入执行阶段；SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon File由于让出CIS事业资产，成为SK海力士晶圆代工的设
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
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SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
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SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
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SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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