Marvell Marvell创立于1995年,美国总部位于加州圣塔克拉拉,在美国、欧洲、印度、新加坡和中国均设立了研发中心,每年售出近10亿颗芯片。而且在微处理器体系架构及数字信号处理方面的专业知识,极大的推动了大容量存储解决方案、移动与无线、网络、消费类产品及绿色产品等平台的发展前景 。 http://www.marvell.com
支持 PCIe 5.0 和 NVMe 1.4b,支持最新3D NAND QLC、TLC和 SLC技术,延长SSD使用寿命。美满 2021-05-27
支持TLC和QLC,支持PCIe Gen4接口,可提供高达3.5GB / s的带宽和每秒高达450K IOPS。美满 2019-08-01
支持TLC和QLC,支持PCIe Gen4接口,可提供高达3.9GB / s的带宽和每秒高达690K IOPS。美满 2019-08-01
支持TLC和QLC,支持PCIe Gen4接口,可提供高达3.9GB / s的带宽和每秒高达500K IOPS。美满 2019-08-01
采用通用硬件和固件控制芯片架构,支持4通道,PCIe Gen3 x4 接口,可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700美满 2018-06-06
支持8通道,PCIe Gen3 x4 接口,可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700,000 IOPS。美满 2018-06-06
支持PCI-E 3.0 x4,符合NVMe 1.3标准,采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高SSD使用寿命。美满 2018-03-20
支持PCI-E 3.0 x4,符合NVMe 1.3标准,并采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高可靠性和耐用性,提高美满 2018-03-20
采用28nm工艺,最大支持8TB容量的SSD,支持15nm SLC/MLC/TLC,以及三星、东芝、美光、SK海力士等积极推进的美满 2017-04-05
采用28nm工艺制造,支持15nm TLC和3D NAND,适合超薄计算存储设备。美满 2016-08-10
采用28nm工艺制造,支持15nm TLC和3D NAND,适合2合1平板/超极本/Chrome存储。美满 2014-12-08
采用28nm工艺制造,支持15nm TLC和3D NAND,适合2合1平板/超极本/Chrome存储。美满 2014-12-08
采用28nm工艺制造,支持15nm TLC NAND Flash,支持PCIe3.0x4存储。美满 2014-08-05
采用28nm工艺制造,支持1znm TLC NAND Flash,支持SATA 6Gbps存储。美满 2014-05-27
采用28nm工艺制造,支持1znm NAND Flash,支持PCIe 2.0 x2取代SATA 6Gbps存储。美满 2014-05-21
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