SK海力士新厂下月竣工，下半年量产第四代10nm级DRAM
编辑：Helen 发布：2021-01-18 14:11据外媒消息称，SK海力士新M16存储器半导体生产线将下月宣布正式竣工，并已完成EUV洁净室的建设，随后开始进入设备安装和调试阶段，预计将在2021下半年开始量产第四代1αnm 制程DRAM。
原厂加快导入EUV设备，三星率先导入，SK海力士紧随其后，DRAM进入1αnm工艺竞争
2021年DRAM将进入1α工艺DRAM技术节点，而EUV设备是未来DRAM技术发展的关键，因为与氟化氩(ArF)微影技术相比，EUV光源波长从 193nm 直接下降到了 13.5nm，光源的波长越短，在硅基板上雕出来的线宽就越细，有利于让半导体的电路图案越趋微细化，不仅能减少复杂的制造工序，同时提高半导体生产效率。
三星在2020年就首次导入了EUV设备量产16Gb LPDDR5，基于1Znm制程技术，更先进的技术相较于12Gb容量提升了33%，封装的厚度也薄了30%。同时，三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。
SK海力士M16位于京畿道利川，是其第一条采用先进的EUV设备的生产线，SK海力士M16工厂利用EUV产线，也在推进第四代10nm级DRAM量产，预计2021下半年开始量产1α nm DRAM。
此外，除了三星和SK海力士，美光1αnm DRAM计划将在2021上半年量产8Gb DDR4，新建的A3也有望在2021年投产。不过，美光目前暂时还在评估EUV设备导入的时间节点，主要是考虑到整体经济效益，因为EUV设备造价不菲，设备单价超过1.3亿美金。
DRAM市况乐观，SK海力士DRAM业务比重高达7成，M16新厂助力业务提升
SK海力士是全球主要的NAND Flash和DRAM芯片供应商，在业务结构中，DRAM营收占比高达7成以上，而NAND Flash营收占比在25%左右。2019年全球存储市场需求疲软，2020年又遭遇“疫情”冲击，相较于2017年、2018年，SK海力士近两年获利减少。
在NAND Flash方面，2020年SK海力士收购了英特尔将NAND SSD业务、NAND组件和晶圆业务以及中国大连NAND工厂，将可助力SK海力士在SSD市场应用进一步扩大。
来源：SK海力士，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理
另一方面，2021年初DRAM市场行情好转，并看好2021全年DRAM市场商机可期。“疫情”宅经济需求下，服务器、笔记本正在不断增加基于16Gb颗粒内存模块需求，三星、小米、OPPO等旗舰机搭载的Mobile DRAM对8GB/12GB容量需求增加，高端配置甚至向16GB推进，5G手机销售也有望带动2021年出货恢复成长趋势。
三星平泽P2新厂已在2020年投产，美光计划2021上半年量产的1αnm制程，在成熟良率下，将比1Znm节点每片Wafer晶圆增加40%的Bit量，再加上SK海力士新M16工厂，共同因应需求的增长。同时，SK海力士M16新厂也将使其DRAM产能增加，助力其DRAM业务提升业绩，以及提高获利能力，稳固DRAM市场地位。
