SK海力士 https://www.skhynix.com/

随着移动和可穿戴设备的持续增长，对移动内存的需求也在稳步增长，这是低功耗和超薄封装技术是现代半导体行业不可缺少的要素。

SK海力士推出的内联重分配层（IRDL）技术通过使用带有绝缘层和铝的额外金属层来形成布线，从而使IO焊盘可以在需要时自由地重新放置到封装（PKG）引线键合位置。这项技术可以使芯片间的键合更薄，工艺更简单。此外，IRDL是RDL技术之一，其命名是因为整个过程都在FAB内部进行，这与PKG RDL不同。

如下图展示了两个MCP芯片的方法，左侧的“垂直堆叠MCP”是现有技术，其中上部芯片垂直堆叠在下部芯片的焊盘上；右侧是“使用RDL的移位堆栈MCP”通过避开焊盘使用移位堆栈的方法。

这样，可以防止在垂直堆栈MCP内发生导线干扰和导线与芯片之间的短路。当采用这种新方法时，上层芯片和下层芯片之间的间隙减小，从而大大简化了满足客户要求的适当厚度的过程。

PKG RDL和IRDL之间的主要区别在于结构形成方法，PKG RDL的结构形成方法大致分为两个过程：FAB输入和FAB输出。FAB输入工艺包括仅打开焊盘用绝缘材料覆盖顶部金属。然后，在FAB输出过程中，应用第一介电层将RDL线与晶片顶部的绝缘材料分开，并使用金形成线。之后，施加第二介电层以覆盖线的顶部。

另一方面，在IRDL方法中，使用绝缘材料覆盖顶部金属并形成VIA以打开焊盘。然后，使用铝形成线，这与PKG RDL不同。然后，在上面涂上绝缘材料。

IRDL与PKG RDL具有相同的重定位垫目的。但是，随着FAB内部流程的进行，IRDL具有RDL的三大优势：

• 首先，由于电路可以放置在焊盘下方，因此净裸片得以改善；
• 其次，使用铝代替金可以将整个过程的成本降低多达30％；
• 最后，由于电路设计者可以利用RDL来增强电源网格，因此可以提高芯片的性能。

较小的芯片可将电路置于焊盘下方，从而更好地实现净裸

当使用现有的PKG RDL结构时，由于顶部的金属太薄，小于1um，因此在探测和键合期间经常会发生与焊盘有关的许多问题。使用IRDL结构，它可以使顶层金属的厚度几乎达到10um，足以承受探测和键合过程中产生的应力，从而可以将电路放置在焊盘下方。结果，它可以通过减小芯片尺寸来改善净裸片。

使用IRDL加强PDN

使用IRDL的增强型电源网格可增强配电网络（PDN），从而大大提高芯片性能。如果没有IRDL，则只能使用芯片现有的金属布线来进行PDN加固，从而导致远离焊盘的PDN恶化。因此，这种方法的钢筋非常有限。另一方面，当使用IRDL时，由于RDL层的特性，其传递的电阻值较低，因此增强的自由度大大提高了。因此，可以通过使用IRDL来提高芯片的性能。

IRDL：未来设备的前体

IRDL技术实现了低成本流程，其主要目的是将IO焊盘重新放置到PKG所需的位置，而不会损害现有芯片的架构。通过减少成品的厚度，它使企业能够适应移动设备的未来发展方向，即更薄的产品。确保此元素技术对整个行业至关重要，因为它可以通过减小尺寸和增强性能来提高网芯尺寸。