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SK海力士公司宣布，4月18 日中国无锡制造工厂（C2F）完成扩建。C2F是无锡现有DRAM生产线C2的扩展，扩大生产线是为了解决技术过渡带来的生产空间短缺的问题。

SK海力士于2004年与中国江苏省无锡市签订合同，在当地建立制造工厂，并于2006年完成生产线（C2），开始生产DRAM。C2是公司首款300mm FAB工厂，在SK海力士DRAM业务发展中发挥了重要作用。但随着技术的扩展，工艺技术难度增加，设备变得越来越大，导致洁净室空间不足。因此，SK海力士于2017年6月至2019年4月投资建厂，以确保增加生产空间。

C2F是一个单层FAB厂房，建筑面积58000平方米，建筑规模与现有的C2 FAB厂房相似。SK海力士已完成了部分C2F洁净室的建设，安装设备后将开始生产DRAM，也会根据市场情况灵活确定额外洁净室建设和设备安装的时间。

无锡FAB工厂负责人Kang Young Soo表示，通过完成C2F厂房的建设，将能确保SK海力士无锡FAB的中长期竞争力。通过将C2F和C2作为一个FAB运营，将最大限度地提高无锡FAB工厂的生产和运营效率。

由于智能型手机、PC、数据中心等市场需求放缓，使得DRAM市场供过于求，从2018年开始DRAM市场价格也一直在下滑。三星、SK海力士、美光是DRAM市场主要芯片供应商，面对低迷的DRAM市况，正在采取措施应对。

三星专注于提高核心技术，已宣布在平泽厂规模量产12GB LPDDR4X，2019下半年将增加3倍的供应量，还率先进入1znm技术，下半年量产8Gb DDR4，生产率可提高20%以上。美光也将在2019下半年持续增加1ynm产量，同时送样下一代1znm新技术产品。为了平衡DRAM市场供需，美光还决定减产Wafer产出量。

面对竞争对手的频频动作，尤其是三星率先进入1znm DRAM工艺，给SK海力士带来了不少的压力，SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货，成功开发出的1ynm 16Gb DDR5，传输速率比上一代的3200Mbps快约60％，计划将于2020年大规模量产。

SK海力士DRAM生产基地除了中国无锡工厂，韩国利川也是重要的生产基地，而且正在新建M16工厂，可能将用于生产DRAM，或者跟M14一样是生产NAND Flash和DRAM的混合工厂，将视未来需求而定。

SK海力士C2F工厂竣工后将主要用于生产先进的10nm级DRAM技术，预估每月可生产18万片12英寸Wafer。虽然SK海力士C2F厂增加产能对于目前供过于求的DRAM市场不利，恐对市场价格再次冲击，但面对三星、美光等竞争对手，提高DRAM在市场上的竞争力是必要的。