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SK海力士发布8Gb DDR4 DRAM，采用第二代10nm（1ynm）级工艺，与第一代产品（1xnm）相比，第二代生产率提高约20%，功耗降低15%以上，数据传输速率可稳定在3200Mbps，这是目前DDR4标准支持的最大速度。

SK海力士8Gb DDR4 DRAM预计将在2019年Q1开始市场供货，计划优先供应PC和服务器市场，后续将逐步扩展至移动设备和其他应用。

SK海力士8Gb DDR4 DRAM采用4Phase Clocking设计技术，可使时钟信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。

SK海力士还推出了自己的Sense AMP控制技术，以减少功耗和数据错误。凭借这项技术成功地提高了读出放大器的性能。SK海力士改进了晶体管结构，降低了数据错误的可能性。同时还在电路中增加了一个低功耗电源，以防止不必要的功耗。

其他竞争对手，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10nm(1ynm) DRAM，传正在进行第三代10nm(1znm)制程开发。美光2018年初开始量产1xnm制程DRAM，也将在2018年底导入1ynm制程量产，2019年正式量产1ynm制程DRAM，2020年计划进入1znm制程。

SK海力士和美光不断加速先进制程研发速度，目前DRAM市场价格已有明显松动，再加上Q4市场需求减缓，DRAM跌价趋势将更加明显。

虽然三星延缓平泽厂DRAM扩产计划稳定市场价格，但到2019年，除了三星，SK海力士、美光也都将扩大1ynm DRAM量产，而DRAM产能增加，成本下滑，将加快DRAM价格下滑的速度。

值得注意的是，DRAM工艺从20nm进入1xnm制程已相当不容易，接下来的10nm级1ynm及1znm制程就更为困难，如何在顺利转换至更先进制程的同时确保量产效率成为关键。