SK海力士 https://www.skhynix.com/

SK海力士(SK Hynix)正在兴建中的清州M15厂，预计最快9月中旬完工并举行竣工仪式，显示SK海力士正加速量产第五代堆叠96层3D NAND。预计2019年初起，堆叠96层3D NAND成品将向客户交货，SK海力士NAND Flash市场主控权可望获得强化。

综合首尔经济等多家韩媒的报导，SK海力士清州M15厂建物及无尘室工程已告一段落，SK海力士方面计划，9月中旬举行M15厂竣工仪式，因应NAND Flash市场变化，M15厂完工其实较当初规划时程，提前6个月左右。

稍早7月，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产第五代3D NAND，表示产品堆叠高度超过90层，此外东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，也相继宣布将量产堆叠96层3D NAND，甚至大陆业者正加速发展3D NAND，SK海力士因此加快产品量产与研发进度。

SK海力士斥资15兆韩元(约134亿美元)兴建的清州M15厂，预计生产堆叠72层与堆叠96层3D NAND，目前堆叠96层3D NAND，可说是业界最高技术规格。SK海力士2016年第2季量产第二代、堆叠36层3D NAND，2016年第4季量产第三代、堆叠48层3D NAND，2017年第3季量产四代、堆叠72层3D NAND。

如以2018年第1季为基准，全球NAND Flash市场仍以三星为首，市占率约38%，其次为东芝的19%，SK海力士市占排名第五，市占率为10%，加速量产制程更先进的产品，有助于SK海力士拓展市场。综观SK海力士存储器事业高度依赖DRAM，营业利益9成来自DRAM，相较三星DRAM营业利益占比为6成，所以强化与拓展NAND Flash市场，将有助于SK海力士达成一个更为均衡与安全的事业结构。

韩国、美国及日本NAND Flash业者，相继投入堆叠96层3D NAND竞争，战火日趋白热化。东芝2017年6月与西部数据(WD)，共同开发堆叠96层3D NAND技术已告完成，东芝最快将于2018年内量产堆叠96层3D NAND。美光也与英特尔(Intel)合作堆叠96层3D NAND计划，预计将于2018年底前告一段落。

事实上，至今SK海力士无论是在第五代3D NAND，或是10纳米级DRAM，三星后方快速追赶者的形象挥之不去。尽管稍早提出差异化战略，但市场浮现供给过剩隐忧。目前NAND Flash供给过剩可能性较DRAM高，预料将影响众业者2019年NAND Flash获利表现。

另一方面，韩国业界人士表示，2018年第4季SK海力士DRAM平均供应价格可能下滑4%，2019年再下滑10%，不过SK海力士可望透过转进先进制程、降低生产成本，减少价格下滑影响。

SK海力士预计9月17日举行清州M15厂竣工仪式，不过该日期也可能因行程而变更。韩国业界指出，SK集团(SK Group)会长崔泰源应该会亲自出席M15厂竣工仪式，再度强调SK海力士与竞争对手不断拉大差距的超隔差战略。