SK海力士发布4D NAND：96层堆叠512Gb TLC
编辑：helen 发布：2018-08-08 12:26继三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等宣布96层/QLC新一代技术，SK海力士也宣布推出业界首款4D NAND，采用CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型），存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。与传统架构相比，4D NAND的外围电路（PUC，Peri.Circuits）架构，可缩小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。
SK海力士4D NAND初期是96层堆叠的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准），预计将在今年Q4送样。SK海力士将基于4D NAND推出BGA封装（16mmx20mm）容量高达2TB的SSD，U.2 eSSD容量可达64TB，预计将在2019上半年送样。
此外，SK海力士还将基于V5 4D NAND技术推出QLC，也是采用96层堆叠，单Die容量1Tb，目的在于取代HDD，预计将在2019年下半年送样。
与采用72层堆叠的V4 3D TLC相比，采用96层堆叠的4D NAND面积减小30%、读速提升25%、写速提升30%，此外带宽和功率提升150%，产能提升20%。
SK海力士目前已经开始进行128层堆叠V6 4D闪存的研发，接下来将提高到2xx层,未来可达到500层堆叠。目前，SK海力士的3D NAND是72层堆叠，单die最大512Gb（64GB），96层QLC NAND的单颗die容量提高到1Tb，4D NAND技术的持续发展推动容量的不断升级，未来10年内可望出现10TB的BGA SSD。
SK海力士首款自有品牌企业级产品PE4010 NVMe SSD已于今年6月份出货给微软Azure服务器。2018年Q2这款产品也通过了腾讯的首次验证。
