SK海力士计划2017年Q1推出72层3D NAND样品
编辑：Helan 发布：2016-12-27 12:56日前，SK海力士才宣布将投资2.2兆韩元新建存储器工厂，另有知情人透露，SK海力士正在积极推进72层3D NAND技术的发展，预计将在2017年Q1推出72层3D NAND样品，Q2开始小批量生产。
2016年SK海力士3D NAND以36层MLC为主，良率可达到90%，除了用于企业级SSD，也在积极导入UFS 2.1和eMMC 5.1中应用，第三代48层3D NAND也已经进入量产阶段，并计划在年底开始销售，所以2017年向72层3D NAND发展也是顺理成章的事。
SK海力士NAND Flash重要生产基地主要在韩国忠清北道清州市，分别是M11和M12工厂。SK海力士上周宣布投资2.2兆韩元在清州于2017年开始新建一座工厂（M15），2019年完工，所以清州将有3座NAND Flash生产工厂。另外，SK海力士还计划在2017年将利川M14二楼用于生产3D NAND。
除了SK海力士，其他Flash原厂也在积极向3D NAND切换，其中三星最早在2013年投入3D NAND生产，是目前3D技术最为成熟，良率最高的，但是到2016年底3D NAND生产比重才提升至40%，东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%，可以看出各家在2016年的3D NAND量产进程都不是很顺畅，这也是导致2016年市场NAND Flash供货紧张的一个重要因素。
2016下半年三星和东芝3D NAND已明确宣布提升至64层，年底东芝64层3D NAND已开始小批量生产，美光下一代3D NAND技术也计划跳过48层向64层升级，各家原厂3D NAND技术大跃进让市场竞争进一步加剧，SK海力士挑战72层3D技术将领先其他原厂，但也将面临着更大的量产风险。
2016年原厂NAND Flash持续供货吃紧，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计，到2017上半年市场供应吃紧的市况也不会有太多的缓解。
2017年各家原厂3D技术纷纷向64层提升，SK海力士更是挑战72层，若量产不顺，不仅不能带来更好的NAND Flash收益，也将无法满足持续增长的市场需求。所以，市场预计SK海力士可能会扩大生产48层3D NAND满足市场需求，待72层3D NAND量产顺畅后再扩大生产。
