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SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。

SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。

SK海力士曾在2015年表示，未来十年内将斥资46兆韩元在利川、清州等地区建设3个新的工厂。本次建设项目也是公司中长期投资计划的一部分，其中还包括在2015年8月竣工的利川M14工厂。本次新工厂建设项目的设备安装会根据市场情况和公司迁移计划而定。

韩国忠清北道清州市是SK海力士NAND Flash重要生产基地，已分别在2007年新建M11和2012年新建M12工厂，再加上将在2017年新建的工厂，一共是3座NAND Flash工厂。另外，SK海力士还计划在2017年将M14二楼用于生产3D NAND。

另外，SK海力士计划加码投资中国无锡DRAM晶圆厂，从2017年7月到2019年4月将总投资9500亿韩元（7.9亿美元），以保持生产竞争力。

SK海力士无锡工厂自从2006开始运营以来，目前生产量已占公司DRAM总产量的一半。但由于越来越多的生产流程和技术发展，空间不足导致生产效率降低也是无法避免，SK海力士为了弥补晶圆产能可能的损失，决定加码投资用于无锡工厂内的洁净室，提高生产力，确保其DRAM生产能力在产业的领先地位。