Hynix传3年内拟投入9兆韩圆提升记忆体市占率
编辑：Helan 发布：2010-05-17 10:47据报导，南韩记忆体制造巨擘Hynix Semiconductor Inc.计划在截至2012年为止的期间内投入9兆韩圆(79.4亿美元)，并将2012年营收由今(2010)年的10兆韩圆目标提升20%至12兆韩圆。
Hynix今年资本支出金额将达2.5兆韩圆(高于先前预定的2.3兆韩圆)，并于2011年、2012年提升至3兆韩圆、3.5兆韩圆。上述投资将帮助Hynix将全球DRAM、NAND型快闪记忆体市占率在2012年分别提升至25%、20%。
据悉，Hynix考虑将提升专业晶圆代工业务纳入长期成长策略当中，与台积电(2330)一较高下。
三星电子在17日公布史上最高年度资本支出计划；分析人士预估总额最多将达20兆韩圆，主要将投入记忆体与液晶面板。
Hynix新上任的执行长Kwon Oh-chul 4月29日表示，今(2010)年营收可望创10年以来新高，主要是拜供给吃紧、需求展望看俏之赐。他指出，目前该公司仅能满足60%客户需求。 Kwon并指出，DRAM供给非常吃紧，主因许多企业在景气衰退时缩减投资、导致现在难以增加产能。
