Micron
美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造，但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产，并计划于2025年实现量产。
台湾美光20日深夜发布声明称，台中厂火警人员无虞，厂区营运未受任何影响。
根据日经亚洲报道，美光科技正在全球多个生产基地扩建或计划扩建高带宽内存（HBM）产线，以期在AI热潮中获得更多利润丰厚的订单。公司目标是在2025年将HBM领域的市场份额提升至约20%，与公司在DRAM行业的整体营收份额看齐。
美光日前表示，目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能，预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准，也就是约为20-25%。
美光科技（Micron Technology, Inc.）宣布其下一代GDDR7图形内存开始样品阶段，该产品采用业界最高位密度，并利用1β（1-beta）DRAM技术和创新架构，提供32 Gb/s的高性能内存，同时优化了功耗设计。GDDR7内存提供超过1.5 TB/s的系统带宽，比GDDR6带宽提升高达60%，并具备四...
美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应，未来几个季度供应量将继续增加。
美光近日宣布了一项重大投资计划，将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导，这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。
美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉，整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利，分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此外，Netlist还与其他存储巨头产生过专利纠纷。
美光高层预测，HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%，从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM，有望推升2025年度营收。
美光近期已开始向客户提供36GB 12层 HBM3E样品。
爱达荷州博伊西
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