Micron
美光3500系列NVMe SSD采用 M.2 外形尺寸，容量高达2TB。性能方面，顺序读写速度最高可达7000 MB/秒，现已向部分 PC OEM 供货。
此前美光在上季度财报业绩会上表示，预计最早将在2024年下半年看到毛利润回正。在本次上调业绩后，美光预计转亏为盈将早于预期，那么有可能在2024年上半年即实现扭亏为盈。
美光将于2024年发货4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 128GB RDIMM产品，未来将提升至8000 MT/s。
美光科技宣布推出 Crucial T500系列Gen4 NVMe SSD：采用PCIe 4.0接口，搭配美光232 层 3D NAND 技术以及业界领先的 NAND I/O 速度（每秒 2.4 GB/s）、
美光科技宣布，其LPDDR5X内存的生产样品现已发货，采用1β (1-beta) 工艺制程，容量高达16GB，具有业界最高的性能和最低的功耗，为设备上的 AI 提供前所未有的支持，加速边缘生成式 AI 的功能。
美光符合 Snapdragon平台资格的128GB UFS 3.1和 8GB LPDDR5X 现已通过美光的销售渠道、分销商和合作伙伴提供给MR生态系统。
美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，采用美光232层3D NAND，随机写入性能比竞争对手的硬盘高出242%。
在美光45周年庆祝之际，美光宣布在槟城开设了新的领先的组装和测试工厂。
据媒体报道，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E存储产品，并透露NVIDIA是该产品的主要客户之一。
美光科技宣布推出16Gb DDR5，扩展了其行业领先的1β(1-beta)工艺节点。美光1β制程DDR5 DRAM速度已高达7,200 MT/s，现已向所有数据中心和PC客户发货。美光基于1β制程的DDR内存采用先进的高-k CMOS器件技术，与上一代相比，性能提升高达50%，每瓦性能提高33%。
爱达荷州博伊西
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Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
Micron 3D TLC B0KB 2018-03-14
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
Micron DDR4 DRAM 2016-01-26
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
Micron 6500 ION NVMe SSD 2023-05-17
Micron XTR NVMe SSD 2023-05-17
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
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