性能方面,9550 SSD连续读取速度为14.0 GB/s,连续写入速度为10.0 GB/s,与同类竞争SSD 相比,性能提升高达 67%。此外,其 3,300K IOPS 的随机读取速度比竞争产品高出 35%,400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33% 。
P310系列搭载美光232层3D QLC NAND,群联E27T主控,采用12nm工艺制造,四通道DRAM-less设计,顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。
对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。
美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造,但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产,并计划于2025年实现量产。
台湾美光20日深夜发布声明称,台中厂火警人员无虞,厂区营运未受任何影响。
根据日经亚洲报道,美光科技正在全球多个生产基地扩建或计划扩建高带宽内存(HBM)产线,以期在AI热潮中获得更多利润丰厚的订单。公司目标是在2025年将HBM领域的市场份额提升至约20%,与公司在DRAM行业的整体营收份额看齐。
美光日前表示,目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能,预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准,也就是约为20-25%。
美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布其下一代GDDR7图形内存开始样品阶段,该产品采用业界最高位密度,并利用1β(1-beta)DRAM技术和创新架构,提供32 Gb/s的高性能内存,同时优化了功耗设计。GDDR7内存提供超过1.5 TB/s的系统带宽,比GDDR6带宽提升高达60%,并具备四...
美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应,未来几个季度供应量将继续增加。
美光近日宣布了一项重大投资计划,将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导,这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。
爱达荷州博伊西
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美光G9 TLC NAND 2024-07-31
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
美光HBM3E 2024-02-27
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
美光DDR4 DRAM 2016-01-26
美光9550系列数据中心SSD 2024-07-24
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
美光DDR5 RDIMM 2024-05-07
Crucial LPCAMM2 2024-05-07
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
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