Micron
性能方面，6550 ION系列SSD顺序读取速度最高可达12,000 MB/s，顺序写入速度最高可达5,000 MB/s。
DDR5 Pro OC 游戏内存解决方案以美光尖端的 DRAM 创新为基础，采用美光先进的 1β（1-beta）节点技术构建，可提高性能、质量和可靠性。
这些解决方案旨在提供更高的速度稳定性、更快的下载速度和更好的刷新率，代表了下一代PC内存外形的全新前沿。
美光科技近日揭晓其最新品牌徽标，并表示该标志具有深刻意义，代表其作为一家公司所走过的发展历程、当前在行业中的地位，以及未来的发展方向。
Crucial P310 2280 Gen4 SSD连续读取速度为7,100 MB/s，写入速度为 6,000 MB/s。
据CFM闪存市场了解，SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E，三星12层HBM3E芯片已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。
美光科技表示，此次收购将支持其在台中和桃园厂区的DRAM生产业务，并强化其在AI时代产品需求中的市场领导地位。
据美光最新申报资料显示，鉴于市况好转，决定重启股票回购计划。这将有助于抵消员工股票购买计划带来的稀释。
美光科技宣布开发出行业首个PCIe Gen 6数据中心SSD，旨在推动生态系统发展，支持人工智能的广泛需求。该技术提供超过26 GB/s的顺序读取带宽，标志着美光在AI存储领域的领先地位进一步巩固。
与上一代 NAND 一样，美光G9 NAND采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装，占用空间比竞争产品减少 28%，是目前最小的高密度 NAND。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F
美光G9 TLC NAND 2024-07-31
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
美光HBM3E 2024-02-27
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
美光DDR4 DRAM 2016-01-26
美光9550系列数据中心SSD 2024-07-24
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
美光DDR5 RDIMM 2024-05-07
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Crucial LPCAMM2 2024-05-07
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
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