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美光宣布其276层TLC G9 NAND已量产，传输速度可达3.6 GB/s，可提供比目前可用的竞争性NAND解决方案高出 99% 的单芯片写入带宽和高出 88% 的单芯片读取带宽。这些优势可转化为SSD和嵌入式 NAND解决方案的性能和能效提升。

与上一代 NAND一样，美光G9 NAND采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装，占用空间比竞争产品减少 28%，是目前最小的高密度 NAND。

美光G9 NAND已在面向客户端 OEM 的 Micron 2650 SSD中采用。2650系列SSD采用PCIe Gen4接口，符合NVMe 1.4c规范，顺序读写速度最高可达7000MB/s、6000MB/s，随机读写速度最高可达1000 KIOPS，提供256GB、512GB、1TB三种容量选择。美光称，该系列SSD接近 PCIe Gen4 的理论饱和水平，与竞争解决方案相比，其PCMark 10 基准测试得分高出 38%，将重新定义此类 SSD 的用户体验。