SKHynix
SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。
SK海力士表示：“对于在半导体市场低迷的情况下能够引入大规模投资，公司备受鼓舞。这是全球投资者们展望今年半导体市况反弹的同时，对该债券中本公司应对气候变化的意志给予信任的结果。”
SK海力士表示：“高通公司正在寻求业务扩展机会，此时举行高层会谈恰逢其时。我们期望此次会谈能够为双方更积极的交流铺平道路，为我们供应业界顶级的存储解决方案等国际合作进一步激活提供机会。”
随着AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK海力士认为，将在CES上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。
SK海力士宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。
SK海力士还决定减少内部决策系统，以提高管理决策的速度和灵活性；计划取消现有的安全开发制造和业务组织，并加快CEO与主要组织管理层之间的决策。
HBM支持高带宽，而带宽指的是在特定单位时间内可以传输的数据量。由于具有高带宽的特性，HBM主要应用于高性能计算场景。
SK海力士紧跟市场趋势，不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后，今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X（4266MHZ/8.5Gbps）。
SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps，比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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