SKHynix
SK海力士30日宣布，已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔开始了“英特尔数据中心存储器认证程序”。
SK海力士预测，随着第一季度客户的库存转为下跌趋势，并且第二季度起存储器的减产将使供应商的库存去化，预计下半年市场环境将得到改善。
SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
SK海力士表示：“虽然今年上半年的低迷市况在持续深化，但从全年整体来看，预计市况会越到下半年就越好。”业界预测，由于减少投资和减产的基调，半导体存储器企业的供应不见增加，因此产品库存将从第一季度开始减少。
SK海力士计划采用第4代10纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。
SK海力士表示：“对于在半导体市场低迷的情况下能够引入大规模投资，公司备受鼓舞。这是全球投资者们展望今年半导体市况反弹的同时，对该债券中本公司应对气候变化的意志给予信任的结果。”
SK海力士表示：“高通公司正在寻求业务扩展机会，此时举行高层会谈恰逢其时。我们期望此次会谈能够为双方更积极的交流铺平道路，为我们供应业界顶级的存储解决方案等国际合作进一步激活提供机会。”
随着AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK海力士认为，将在CES上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。
SK海力士宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。
韩国京畿道利川市
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