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近日，SK海力士在IEEE VLSI symposium 2025上提出了未来30年的全新DRAM技术路线图以及可持续创新的方向。

SK海力士首席技术官Cha Seon Yong表示，通过现有的技术平台进行微缩，性能和容量的提升越来越困难。为了克服这些限制，SK海力士将把4F² VG（垂直栅极）平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺，并在结构、材料和组件方面进行创新。

4F² VG平台是下一代内存技术，它最大限度地减少了DRAM的单元面积，并通过垂直栅极结构实现了高集成度、高速和低功耗。

目前，6F²较为常见，但通过应用4F²和将电路部分置于存储单元下方的晶圆键合技术，可以提高存储单元的效率和电气特性。

据Cha Seon Yong透露，SK海力士将3D DRAM作为未来DRAM的主要支柱。尽管业内观点认为，随着堆叠层数的增加，成本会增加，但这个问题可以通过不断的技术创新来解决。

在结构性突破的同时，SK海力士还将致力于通过DRAM关键材料及零部件技术的精进，寻找新的增长动力，为未来30年奠定基础。