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SK海力士副总裁Lee Kang-wook近日公布HBM封装路线图。路线图显示，SK海力士将从HBM4E开始采用混合键合技术来堆叠和接合DRAM。 HBM4E是SK海力士正在开发的产品，计划于2026年量产。

混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，有望给半导体行业带来重大变化。

从HBM4开始，封装高度将从现有的720㎛增加到775㎛。HBM4可以继续现有的层压方法，但从HBM4E开始，需要新的封装工艺转换。这是因为堆叠 DRAM 之间的间隙必须最小化，并且热管理能力必须提高。

SK海力士目前正在使用质量回流成型底部填充（MR-MUF）方法进行HBM层压。这是一种通过微凸块连接 DRAM 的堆叠方法，然后用液体底部填充材料填充空白空间以使其硬化。混合键合通过硅通孔电极 (TSV) 直接连接铜与铜，而不是使用微凸块。不需要底部填充材料。它不仅最大限度地缩小了顶部和底部 DRAM 之间的间隙，而且没有微凸块电阻，因此信号传输速度快，热量管理高效。

Lee Kang-wook表示，“混合键合还有许多挑战需要解决，例如化学机械抛光（CMP）、异物（颗粒）控制和连接（互连）成品率。混合键合技术在HBM3 12层生产过程中的性能和可靠性已取得了良好的结果，因此对该技术充满信心。

Lee Kang-wook预测，预计具有20级或更多级的第8代HBM“HBM5”将转换为完整的混合键合系统。此外，还提出了引入三维（3D）封装的可能性。目前搭载HBM的人工智能加速器，处理器（图形处理单元）位于中央，HBM则放置在两侧。这是2.5D封装。 3D封装是一种将HBM​堆叠在处理器顶部的方法，预计硅中介层和基板等封装组件将发生重大变化。