SK海力士为应对下一代高带宽内存(HBM)需求,大幅扩展5代1b 10纳米级DRAM生产能力
编辑:jessy 发布:2024-06-14 18:04根据14日来自业界的消息,SK海力士正在推进5代1b DRAM的增产工作,为此已向多家设备供应商下单。这一举措被视为对HBM和DDR5 DRAM需求增长的积极投资。通过这次投资,预计SK海力士的1b DRAM月产量将从去年一季度的1万片增加到今年年底的9万片。此外,SK海力士还计划在明年上半年将1b DRAM的产量进一步增加到14万至15万片。
此次1b DRAM的增产将在京畿道利川的M16工厂进行。据悉,原本用于生产1y DRAM的生产线将转换为1b DRAM生产。目前1y DRAM的月产量约为12万片。如果全部转为1b专用,预计到2025年上半年1y DRAM的月产量将减少至5万片。
半导体设备行业的相关人士表示,对于M16的增产投资,客户SK海力士已经提出了设备移动和改造等要求,并且只打算引入额外所需的工艺设备。预计会以沉积、光刻、蚀刻等核心设备为主进行额外采购。
1b DRAM将被用于HBM3E核心芯片。随着SK海力士今年增加HBM3E的生产,1b DRAM的增产也在同步进行。
设备行业的观察人士还表示,SK海力士可能会进一步扩大其投资计划。一位相关人士透露,如果SK海力士的营业部门要求100,生产或投资部门可能只会提供70-80%的支持,因为他们在之前的低迷期按照要求生产和投资,结果遇到了巨大的困难,因此现在非常谨慎地制定投资和生产计划。另一位行业相关人士提醒说,与最初预计的数量相比,设备订单量正在增加。
此外,SK海力士在4月份决定将忠清北道清州市的M15X工厂作为下一代DRAM生产基地,并正在进行施工。预计明年11月竣工,因此M15X所需的设备预计将从明年初开始下单。