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据外媒报道，为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位，SK海力士2024 年计划投资超过 10 亿美元，扩大在韩国的测试和封装能力。业内人士预测，SK 海力士今年的资本支出总额将达到 105 亿美元。

SK海力士负责封装开发的李康旭副社长（Lee Kang-Wook）表示，公司正在韩国投资超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装。该工艺的创新是HBM最受欢迎的AI存储的优势的核心，这将进一步降低功耗、提高性能和巩固SK海力士在HBM市场领先地位。

李康旭副社长认为半导体行业的前 50 年致力于硅加工相关组件的初始阶段，而后 50 年将致力于芯片封装技术。

李副社长帮助SK海力士开创了第三代HBM技术HBM2E创新的封装方式，于2022年开发了一种新的高端封装工艺技术，称为大规模回流模塑底部填充（MR-MUF），该工艺可帮助提高散热性和产量。李副社长表示，SK海力士正在将大部分新投资投入到推进MR-MUF和TSV（硅通孔）技术中。