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9月14日，SK海力士宣布与英特尔联合发布白皮书，透露其应用于英特尔CPU的DDR5服务器DRAM展现了业界领先的性能水平。本白皮书在SK海力士和英特尔网站上同步发布。

两家公司自 DDR5开发之初就密切合作，本白皮书展示了SK 海力士DDR5在过去的八个月里应用于第四代 Intel® Xeon® 可扩展处理器 （以下简称 Xeon）时的性能评估结果。

该白皮书在服务器行业呼唤低功耗、高性能半导体之际发布，强调SK海力士和英特尔将通过提供业界领先性能和能源效率的内存和CPU，迎来更先进的数据中心时代。

白皮书显示，SK 海力士的 DDR5 功耗比 DDR4 低 14.4%，而第四代英特尔®至强®可扩展处理器的性能效率是上一代的 2.9 倍。在采用 Xeon 的服务器中，DDR5 实现了每瓦性能的提高，与 DDR4 相比，整数计算提高了1.22 倍，浮点计算提高了 1.11 倍。

因此，两家公司期望 DDR5 和 Xeon 提供的能源效率能够让服务器芯片客户建立更可持续的数据中心。此类经济高效的数据中心的运营预计还将帮助客户节省总拥有成本 (TCO) 。

“正如白皮书中透露的那样，与前几代产品相比，配备SK海力士DDR5和英特尔CPU的服务器可实现更快的数据处理速度，同时消耗更少的电量。特别是，他们可以有效地利用在生成人工智能等应用中处理大量数据所需的高密度DRAM。”SK 海力士DRAM产品规划主管 Sungsoo Ryu 表示。

“我们希望我们的服务器芯片客户能够使用本白皮书中包含的有价值的信息来推动他们的业务发展。”他补充道。

英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 博士表示：“英特尔一直在与 SK海力士和内存行业合作伙伴合作，通过第四代英特尔®至强®可扩展处理器实现高性能 DDR5 DRAM。这些努力确保我们提供强大的高性能和节能的数据中心系统解决方案，使我们共同的客户受益。”

SK 海力士将通过合作加强其在服务器市场的产品，例如与英特尔的最新项目。通过分别专注于 1anm 和 1bnm DDR5（第四代和第五代 10nm 工艺技术），SK 海力士希望提高其财务业绩和在服务器市场的影响力，因为服务器 DRAM的需求预计将在 2023 年下半年增长。

【白皮书概览】带宽 70%↑ 、功耗 14.4%↓ 、整数运算 1.59 倍↑

该白皮书详细介绍了服务器客户可以用来指导 DDR5 在服务器中的应用的测试数据。亮点包括结合 DDR5 内存和至强时可实现的速度、性能和功耗。

图 1. SK hynix DDR4 和 DDR5 的服务器带宽比较

首先，与上一代 DDR4 相比，DDR5在相同运行速度 3,200 兆比特每秒 (Mbps) 下的服务器带宽提高了 20%。此外，DDR5运行速度为 4,800 Mbps 时的服务器带宽比 DDR4 最高运行速度 3,200 Mbps 时的服务器带宽高出 70%。服务器带宽的整体扩展得益于 DDR5 的设计改进，与 DDR4 相比，最大限度地减少了数据的内部传输延迟并确保了更高的传输速度。

图 2. SK hynix DDR4 和 DDR5 的运行速度和功耗比较

通过研究，SK海力士还能够确认DDR5的功耗比DDR4低14.4%，这在很大程度上归功于高K金属栅极（HKMG）等新技术。HKMG 是下一代工艺，在 DRAM 晶体管内部使用高 K 绝缘膜来防止漏电流并提高其电容（存储电荷的能力）。因此采用HKMG的半导体存储器产品具有更高的功效。

至强的内置加速器也在测试中显示出积极的结果。与上一代处理器相比，利用内置加速器，组织可以将目标工作负载的平均每瓦性能效率提高多达 2.9 倍。这些技术的结合使 DDR5 和 Xeon 能够实现带宽显着增加 50%，功耗降低 14.4%。

白皮书还展示了结合 DDR5 和 Xeon 的系统的计算性能。两家公司使用专门的基准测试程序 SPEC CPU 2017 来比较性能。

比较结果表明，与上一代系统相比，整数计算速度提高了 1.59 倍，浮点计算速度提高了 1.43 倍。与前代系统相比，每瓦性能在整数计算方面提高了 1.22 倍，在浮点计算方面提高了 1.11 倍。

该先进系统在英特尔内存延迟检查器（MLC）测试中也表现良好，该测试是一种测量内存延迟和速度的程序。与上一代相比，读取速度提升1.4倍，读写速度提升1.51倍。