SK海力士 https://www.skhynix.com/

据韩媒报道，近日，SK海力士CEO李锡熙在演讲中表示，未来十年内该公司将克服材料、结构和可靠性等各方面的挑战研发出10nm级别以下的DRAM芯片以及600层NAND Flash芯片。

李锡熙介绍说，10nm级别以下的DRAM芯片将要求企业克服光刻等技术挑战，目前，SK海力士正在引入EUV光刻技术来应对光刻挑战。此外，还将通过结构、材料创新来扩大存储容量。

李锡熙表示，对于汽车半导体，降低错误率是重中之重，但是相应成本也会提升，目前SK海力士正在开发一种降低成本同时改善设计的方法。

对于NAND Flash技术，李锡熙表示，高堆叠NAND Flash技术需要克服高纵深比蚀刻技术、分辨率等问题。其中，氮氧化物是确保NAND Flash芯片可靠性的关键一环，目前SK海力士已经研发深阱CTN与分离CTN结构来解决这一问题。