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SK海力士宣布投资5500万美元成立高斯实验室，全球知名的数据科学家Young-Han Kim将担任高斯实验室的首席执行官，将通过工业AI解决方案实现制造的创新。
 
据悉，高斯实验室（Gauss Labs）总部建立在美国硅谷，将于本月晚些时候开始在韩国设立办事处。到2022年，SK海力士仍是高斯实验室唯一的投资者，这也暗示着未来可能有其他的合作企业加入。

作为NAND Flash和DRAM主要供应商，SK海力士在先进的技术上必须要保持领先的地位，然而随着DRAM向1Znm技术之后发展，以及3D NAND技术的堆叠层数迈入100层+，研发的投入也在不断增加。
 
SK海力士建立的高斯实验室，将致力于AI技术的创新，未来将通过大量的数据来革新传统的半导体制造与生产，包括产线控制、成品率预测、设备维护、故障检查和预防等，推动制造工厂向智能化发展，并有效提高效率和降低成本。
 
DRAM进入1Znm后时代，EUV造价不菲，投入资金将大增

在DRAM方面，目前三星、SK海力士、美光DRAM技术已进入到第三代10nm（1znm）技术阶段，三星更率先在该工艺节点导入EUV工艺。SK海力士则计划在第四代10nm级（1anm）DRAM中应用EUV工艺，而新建的M16工厂也在建设EUV产线，预估2021年初可开始量产。
 
ASML是全球唯一一家能制造EUV光刻机的公司，该公司在2019年共计出货了26台EUV光刻机，较2018年的18台明显增长，预计2020年交付35台EUV光刻机。但是每台EUV设备超过10 万个零件，重量可高达180吨，每次运输必要动用40个货柜、20辆卡车等复杂的运输，每部EUV设备造价超过1亿美元，这给企业也增加了运营成本。
 
NAND Flash市场竞争激烈，且新技术升级难度增加，提高获利迫在眉睫

相较于三星、SK海力士、美光三家独大的DRAM局面，NAND Flash市场的竞争者较多，包括三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士五家企业。同时，随着3D NAND堆叠层数向100层以上发展，技术提升所面临的挑战也将进一步增加。
 
SK海力士已量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，并已发布了首款消费类SSD，正在积极的导入到企业级SSD中应用。同时，SK海力士也正进行下一代176层3D NAND的研发。
 
目前，SK海力士在DRAM市场全球排名第二，在NAND Flash市场却是排名第五，但随着市场竞争的加剧，各家原厂纷纷大手笔投入资金建厂的同时，也在不断在技术上巨额投资，使得企业在获利上变得更加艰难。
 
在存储这个资本密集型的行业中，企业稳定的获利至关重要。SK海力士建立的高斯实验室有望将AI技术应用到制造工厂中，通过对产线控制、成品率预测、设备维护、故障检查和预防等方面的优化，将在一定程度上提高产能和效率，从而达到降低成本的目的，获利能力也将有所提高。