传SK海力士将在1a nm DRAM中引入EUV技术，代号“南极星”
编辑：Andy 发布：2020-05-29 16:27据韩媒报道，SK海力士已经开始着手研发1a nm DRAM芯片，预计将会在制程中引入EUV光刻技术。
据悉，1a nm DRAM在内部的代号为“南极星”，工艺节点将在15nm左右。目前SK海力士DRAM营收主力为1ynm和1znm级，预计在今年下半年这两种制程产量将提高到DRAM总产量的40%。
在DRAM生产制程中，引入EUV技术已经成为大势所趋，三星电子已经于今年三月率先宣布已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技术的10nm级（D1x）DDR4模块，SK海力士和美光作为全球排名第二第三的内存制造商，虽然目前并没有官宣引入EUV工艺，但是相关传闻也不曾中断。其中美光在今年投资者会议中强调了建设EUV Fab工厂的投资预算，不难推测，美光也在推动引入EUV制程。
EUV技术相较传统的光刻技术减少了多重图形制作中的重复步骤，并提高了图案的分辨率，从而提高了性能、产量并缩短了开发时间。
然而，其昂贵的费用一直是制约其大规模普及的根本原因，据悉，第一代 EUV设备价格高达1.2亿美元/台，除了如此高昂的设备投入之外，相关维护成本也十分巨大。即便如此，在技术就是王道的存储产业中，各厂商也将不遗余力追求更先进的工艺，确保自身的领先地位。
