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据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。

SK海力士开发制造总裁 Jin Kyo-won
图片来源：SK海力士

Jin Kyo-won出生于1962年，毕业于首尔国立大学物理系，曾在2014年7月担任NAND部门负责人，并于同年12月担任NAND开发部门负责人，2016年出任质量保证主管，质量监控，2018年负责DRAM开发，2019年12月提升为开发制造总裁。

DRAM和NAND Flash市场密不可分，SK海力士相关人士表示：SK海力士首席执行官（CEO) Lee Seok-hee一直强调从半导体早期的研发到批量生产要形成一套高效运行的系统。重组后，SK海力士首席半导体技术专家Jin Kyo-won将提升为开发制造总裁，负责DRAM和NAND Flash从开发到批量生产，提高运营效率。

同业者之间竞争加剧，SK海力士需保持技术领先的优势

SK海力士是重要的NAND Flash和DRAM供应商，据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2019年Q3季度，SK海力士DRAM市场占有率28.4%，全球排名第二；NAND Flash市场占有率9.6%，全球排名第六。

作为全球第二大DRAM供应商，SK海力士于2019年10月宣布采用第三代10nm级（1znm）工艺开发出16Gbit DDR4，与第二代（1ynm）产品相比，生产率提高了约27%，计划将与2020年开始全面供应，积极响应市场需求。

DRAM技术发展趋势

来源：三星

与之竞争的是三星和美光，其中三星早在2019年3月就宣布于下半年采用1znm工艺技术量产8Gb DDR4，生产率提高20%以上；美光也在8月份大规模生产1znm 16Gb DDR4产品。三星、SK海力士、美光DRAM都已进入第三代10nm级制程技术，随着技术的不断提高，量产的难度也加大，再往后发展将用到EUV工艺，能否顺利过渡是稳固市场的关键。

NAND Flash技术发展趋势

来源：三星

在NAND Flash市场上，三星、SK海力士均已宣布新一代128层3D TLC NAND已开始量产或送样，2020年西部数据、铠侠、美光等128层3D NAND也将面世，英特尔甚至将在2020年推出144层QLC NAND，同业者之间的竞争如火如荼。

此外，中国芯片国产化进程的加速，随着新晋者的加入，战局再度升温，对于SK海力士而言，一定程度上将刺激在NAND Flash和DRAM战略布局上加快步伐。

存储产业周期性变化加速，获利变得更加艰难

近几年存储产业可谓跌宕起伏，行情瞬息万变，周期性变化速度加快。以NAND Flash为例，在经历2016年和2017年NAND Flash价格大幅上涨后，2018年和2019上半年价格再度下滑，截止到第三季度，三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔等Q3季度的NAND Flash销售虽环比增加， 但在获利方面依然表现同比下滑，西部数据和铠侠甚至亏损严重。

SK海力士同样面临着同样的挑战，在2019年三季度，其营收达6.8兆韩元，同比下滑40%；净利润0.495兆韩元，同比大减89%，更创2016年第二季以来的新低纪录，其中DRAM收入占77%，NAND Flash收入占20%。

来源：中国闪存市场，时间截止至2019年12月4日

不仅要面对产业周期性变化，DRAM和NAND Flash技术的推进，也使得企业投入的资金增加，获利变得更加艰难。随着NAND Flash价格的触底，以及对看旺2020年市场需求，近期NAND Flash行情已出现转机，中国闪存市场ChinaFlashMarket分析，不仅渠道市场价格上涨，企业级需求旺盛，原厂已对2020年Q1部分产品宣布涨价，PC OEM市场价格或也将开始上涨，而手机端产品价格2020年Q2或有涨价反应。

在下一波存储行情上行之前，SK海力士将DRAM和NAND Flash研发部门合并，不仅有助于提高技术研发水平，稳固市场地位，更能有效的配合、响应存储市场周期性变化，提高企业获利的能力。