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日前，SK海力士公布3D NAND技术路线图，此技术路线图展示在2030年3D NAND将达到800多层的堆叠高度。

在不久以前，SK海力士宣布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash，并开始批量生产，容量为1Tb。SK海力士正在开发下一代176层4D NAND，将通过技术优势，持续增强其在NAND Flash市场上的竞争力。

此外，SK海力士和西部数据同样看好分区SSD，即根据不同的目的将其分为不同的区域。SK海力士认为分区技术能够降低67%的写入放大，25%提高读取延迟。

西部数据方面，目前正在量产64层3D NAND，和东芝存储采用Bics3架构，采用Bics4架构的96层产品也已经开始量产，在本季度，96层产品的产量有望超过64层产品。

西部数据介绍，128层产品将采用Bics5架构，将会于2020年面世。且64层产品过渡到96层产品，在制造成本上增加了60%，从96层转变到128层预计将会增加15%生产成本。虽然每片晶圆的制作成本有所上升，但是平均bit的成本是降低的。