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SK海力士宣布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash，并开始批量生产，容量为1Tb。SK海力士正在开发下一代176层4D NAND，将通过技术优势，持续增强其在NAND Flash市场上的竞争力。

SK 海力士128层TLC 4D NAND，世界首款 

目前Flash原厂主要是集中提高96层3D NAND，SK 海力士推出的128层4D NAND是目前业界最高的垂直堆叠高度，具有超过3600亿个NAND单元，每个NAND单元存储3位元（TLC）。

SK海力士表示，应用了“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜电池形成技术”和“超快速低功耗电路设计”等创新技术实现了业界128层堆叠的4D NAND技术，此款TLC新产品提供业界最高的1Tb存储密度。

SK海力士128层4D NAND生产效率提高40%，将于下半年发售 

SK海力士在2018年10月宣布推出创新的4D NAND，将3D CTF（Charge Trap Flash）设计与PUC（Peri.Under Cell）技术相结合。在8个月后，SK海力士通过相同的4D平台和流程优化，在96层NAND的基础上堆叠多达32层实现128层堆叠，制造工艺的过程减少了5%，从而使得过渡时期的投资成本降低了60%，同时生产效率也提高了40%。

SK海力士128层4D NAND的最大优势是小芯片尺寸，使其能够实现1Tb超高密度的NAND Flash。同时，在1.2V时实现了1400Mbps的数据传输速率，可以为终端市场提供高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD解决方案。

SK海力士128层4D NAND技术的UFS和SSD，将在2020年面世 

SK海力士计划2020上半年为高端旗舰智能型手机客户开发下一代UFS 3.1产品。相比目前智能型手机采用512Gb实现的1TB大容量存储空间，凭借SK海力士128层1Tb 4D NAND，实现1TB容量所需的NAND芯片数量将减少一半，将为客户提供功耗降低20%的移动解决方案。

此外，SK海力士还将在2020上半年大规模生产2TB容量的消费类SSD，以及推出16TB和32TB容量用于云和数据中心的NVMe SSD。

SK海力士执行副总裁、全球销售与营销负责人Jong Hoon Oh表示 “SK海力士通过128层4D NAND确保了其NAND业务的竞争力，凭借该产品在业界的最高堆叠和容量密度，我们将在合适的时间为客户提供各种解决方案。”