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SK海力士推出基于TLC阵列的全球首款96层512Gb CTF 4D 闪存芯片，采用3D CTF (Charge Trap Flash)设计，搭配PUC（Peri.Under Cell）技术。SK海力士将在今年内开始初步量产96层4D 闪存。单个512Gb 闪存芯片相当于64GB存储。

SK海力士首次将3D CTF与PUC技术结合在一起，这种技术与将3D浮栅和PUC集成的方式有所不同。采用这种技术可获得业界最好的性能和产能。SK海力士将该产品命名为“基于CTF的4D 闪存芯片”，以区别于当前的3D 闪存技术。

与SK海力士72层512Gb 3D 闪存相比，4D 闪存芯片尺寸减少了超过30％，每片wafer的bit生产率提高了49％。写入速度提高30％，读取性能提高25％。此外，数据带宽增加一倍，可达业界最大的64KB。随着多栅极绝缘体结构的引入，在1.2V工作电压下，其数据I / O速度可达1,200Mbps。

今年8月，SK海力士已经宣布将通过各种4D 闪存应用来提高解决方案的市场竞争力。

最重要的是，凭借96层512Gb 4D 闪存，SK海力士将在今年推出搭配自家控制器和固件的1TB消费级SSD。企业级固态硬盘将于2019年下半年推出。SK海力士还将在2019年上半年推出UFS 3.0，以响应高密度移动设备市场。此外，SK海力士还将于2019年推出超高密度96层1Tb TLC和QLC。

SK海力士闪存营销主管J.T. Kim 表示：“最新推出的基于96层CTF的4D 闪存具有业界最高的成本竞争力和性能，将成为公司闪存芯片业务的里程碑，我们计划在今年内开始大规模量产，并进一步扩大M15工厂产能，以积极响应客户和市场的需求。”