SK海力士 https://www.skhynix.com/

SK海力士(SK Hynix)决定在利川园区兴建半导体研发中心，并将分散在各处的研发人员集结于此，形成未来的研发枢纽。SK集团(SK Group)会长崔泰源在董事会通过东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation；TMC)投资案后即刻启程访日，展现积极投资决心。

据韩媒Money Today报导，SK海力士决定投资2000亿韩元(约1.8亿美元)兴建半导体研发中心，总面积规划9万平方公尺，为地上15层，地下5层建物，位于利川园区M14工厂旁，可容纳4000名研发人员。

该研发中心预定在2017年10月动工兴建，2019年9月完工，届时SK海力士会将分散在不同办公地点的未来技术研究院与NAND Flash研发事业部迁移至此。

研发中心邻近SK海力士的Supex中心与R3大楼，内有DRAM研发事业部门等单位，未来将可加强研发部门的沟通与合作，提高研发效率，形成集成研发枢纽。

2017年SK海力士规划招募1000名人员，后续还可能持续扩充人力，因此决定兴建新的研发中心，提前扩充办公场所。

2012年SK海力士并入SK集团(SK Group)之后，持续增加研发投资提高存储器竞争力，从全年约8000亿韩元增加到2016年2.1兆韩元，2017年上半也已执行1.1兆韩元研发投资。2016年的研发投资规模占全年营收12.2%。

另据ET News报导，SK海力士董事会已通过参与由美国私募基金公司贝恩资本(Bain Capital)领衔的团队，共同携手以2兆日圆(约合177亿美元)收购东芝(Toshiba)旗下存储器芯片事业，会长崔泰源紧急变更访美行程前往日本。

原本崔泰源将前往纽约出席餐会，但因董事会通过收购TMC议案，因此紧急前往日本希望促成签约进展。

SK海力士在DRAM领域仅次于三星电子(Samsung Electronics)位居第二，但NAND Flash事业还有很大成长空间，若这次能成功投资TMC，未来就有机会透过技术交流等各项合作提高NAND Flash事业竞争力。