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据Electronic Times报道，SK海力士M14工厂二楼已完成一半清洁室的建设，现在正在准备生产设备，剩余的部分将在年底完成，至于该工厂将生产NAND Flash还是DRAM，SK海力士表示，将根据下半年市场情况而定。

2017年三星、东芝、美光等均提高到64层量产，再加上三星平泽厂将在下半年开始量产64层3D NAND，美光64层3D NAND技术计划在Q2量产，且均在Q3季度出货，让原厂之间3D NAND市场竞争加剧。

据悉，SK海力士在2016年4月推出36层3D MLC NAND，紧接着在年底批量生产48层3D NAND，2017年4月宣布推出72层3D NAND。现在各原厂加快3D技术发展的脚步，预计SK海力士M14工厂可能会生产48层3D NAND，更有可能生产最新72层的3D NAND。SK海力士表示，若M14工厂全面生产3D NAND，3D NAND bit出货量将超过2D NAND。

SK海力士认为，虽然今年DRAM市场需求增长率略高于20%，但整体行业投入的供应量增长赶不上市场需求。NAND Flash的需求增长率初步预估在30%左右，市场供应量的增长率低于需求增长率，因供应不足，导致价格持续上涨。

SK海力士表示，2017年DRAM 出货量与DRAM市场需求一样，保持20%的增长率，NAND Flash出货将略低于NAND Flash市场30%的增长率。

另外，SK海力士将在2017下半年大规模量产10级（1xnm）的DRAM，预计到年底将占总产能的10%。SK海力士认为DRAM制程从20nm级到10nm级是一个挑战，不仅仅是SK海力士，其他厂商也面临着同样的问题。