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SK海力士4月10日宣布，推出业界第一个72层256Gb（Gigabit）3D TLC（Triple-Level Cell)NAND。72层3D NAND堆叠层数是大规模生产的48层3D NAND的1.5倍。单个256Gb NAND Flash芯片代表32GB(Gigabytes) 存储容量。

SK海力士在2016年4月推出36层128Gb 3D NAND芯片，并在11月批量生产48层256Gb 3D NAND芯片。短短5个月的时间，公司已经开发出72层256Gb 3D NAND芯片。

SK海力士利用现有的设备大规模生产72层3D NAND，生产效率大约较48层3D NAND提高30%以上，同时通过高速电路设计，使芯片内部运算速度快两倍，读写性能较48层3D NAND芯片提高20%。

SK海力士72层3D NAND芯片是用于SSD（固态硬盘）和移动设备（如智能手机）的存储解决方案。随着性能，高可靠性和低功耗的改进，公司希望加强3D NAND存储解决方案的布局。

SK海力士表示，将在2017下半年大规模生产256Gb的3D NAND，并给全球企业客户提供存储解决方案，扩大在SSD（固态硬盘）和移动设备（如智能手机）中使用，同时进一步完善主要的DRAM业务结构。

除了SK海力士，三星计划2017下半年将64层3D NAND导入到SSD和UFS中应用，美光从2017年Q2开始量产64层3D NAND，预计Q3开始出货；东芝64层512Gb 3D NAND也已送样，下半年量产。随着3D NAND技术的发展，2017年Flash原厂纷纷向64层/72层挑战，竞争已经进入了一个新的阶段。