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10月25日，SK海力士公布其截止到9月30日的2016年第三季度财报，数据显示其总营收为4.24兆韩元（约37.32亿美元），环比增长8%，同比下滑14%；营业利润为0.726兆韩元（约6.39亿美元），环比增长60%，同比下滑48%；净利润为0.598兆韩元（约5.26亿美元），环比增长一倍，同比下滑43%；毛利率约为17%。

来源：SK海力士

SK海力士表示通过扩大2znm工艺量产降低DRAM成本，以及得益于NAND Flash先进制程的切换，使得Q3季度营收和利润均较Q2有明显提升。

SK海力士还在财报中表示，由于存储市场的整体需求改善，所以移动存储产品和PC存储产品的需求一直很稳固，同时市场供货紧张导致产品平均销售价大幅上涨。从Q3季度开始，DRAM bit出货量增加了8%，DRAM的平均售价则表现平平；NAND Flash方面，bit出货量和平均售价则分别增加了12%和7%。

来源：SK海力士

据悉，2016年受原厂切换3D NAND投产影响，导致2D NAND供货减少，3D NAND产能又有限，且主要用于3D SSD生产，导致NAND Flash供货一直比较紧张。需求端，智能型手机随着CPU主芯片的快速发展，对Memory存储性能的要求也在提高，尤其是各手机品牌厂旗舰机型，在三星Galaxy S7引领市场搭载4GB LPDDR4和128GB UFS2.0的趋势下，向4GB LPDDR4和128GB UFS 2.0提升，更有部分机型搭载6GB LPDDR 4追求极致体验，苹果iPhone 7则搭载了256GB 3D NAND。

受NAND Flash供货紧张，以及市场对存储容量需求翻倍增长，据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，从3月下旬NAND Flash价格出现涨价的迹象，2016年NAND Flash综合价格指数已累积上涨53%，主流的eMMC、SSD价格涨幅也超过了30%。

为了满足市场需求，SK海力士在财报中表示，2016年底前2znm DRAM产量比重将提升至40%，同时还将扩大2znm工艺DRAM在移动领域的应用，以及克服向1xnm DRAM发展的困难。在NAND Flash方面，SK海力士计划在年内销售48层3D NAND，以及不断增加2D 1ynm工艺的产品。另外，SK海力士将在2017上半年完成72层3D NAND研发，从下半年开始批量量产。

若SK海力士有销售48层3D NAND的计划，市场供货紧张或将有所缓解，但仍需待实际供货情况进一步观察。